Accelerometres

3988 mots 16 pages
Modélisation Monte-Carlo de transistors MOSFETs et à Nanotube de Carbone

Sylvie RETAILLEAU, Nha NGUYEN, Damien QUERLIOZ, Jérôme SAINT-MARTIN, Arnaud BOURNEL, Philippe DOLLFUS Institut d’Electronique Fondamentale (IEF) CNRS, Université Paris-Sud-11 (UMR 8622), Orsay

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Sommaire
Introduction : évolution vers la nanoélectronique → Importance des effets quantiques Transport semi-classique : simulation particulaire Monte Carlo (Boltzmann) - Méthode Monte Carlo particulaire Résultats modélisation classique : transport quasi-balistique - nano-MOSFET - CNTFET Transport quantique : formalisme de Wigner - Fonction de Wigner, équation de transport de Wigner - Analogies Wigner / Boltzmann - Résolution particulaire Monte Carlo (Wigner) Comparaisons « classique / quantiques » - nano-MOSFET - CNTFET Modélisation multi-échelle
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Sommaire
Introduction : évolution vers la nanoélectronique → Importance des effets quantiques Transport semi-classique : simulation particulaire Monte Carlo (Boltzmann) - Méthode Monte Carlo particulaire Résultats modélisation classique : transport quasi-balistique - nano-MOSFET - CNTFET Transport quantique : formalisme de Wigner - Fonction de Wigner, équation de transport de Wigner - Analogies Wigner / Boltzmann - Résolution particulaire Monte Carlo (Wigner) Comparaisons « classique / quantiques » - nano-MOSFET - CNTFET Modélisation multi-échelle
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Transport semi-classique ou quantique ?
Les composants électroniques conventionnels sont très bien compris dans l’approche semiclassique
ST Microelectonics, 2000

A très basse température, le transport quantique balistique est maintenant un champ de la physique bien établi (physique mesoscopique)
Terrier, Fizika A, 1999

800 nm

Lφ ~ 10 nm dimensions du dispositifs

Les électrons se comportent comme des particules

Les électrons se comportent comme des ondes totalement délocalisées

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Qu’en est-il des nano-dispositifs à 300 K ?
Dispositifs nanométriques à 300 K

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