1. Le transistor a` effet de champ a` jonction

Transistors a` effet de champ (1)

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Transistors a` effet de champ (1)

1. Le transistor a` effet de champ a` jonction

1.1. Structure et principe de fonctionnement
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1.2. Les differents modes de fonctionnement

1.1 Structure et principe
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3 electrodes
: source, drain, grille
Une jonction PN entre la source et la grille
Polarisation en inverse de cette jonction
(VGS < 0) et VDS > 0
´
VGS diminue ⇒ ZCE s’etend dans le canal
⇒ Epaisseur du canal diminue
´
⇒ Resistance du canal augmente
⇒ Courant de drain ID diminue
⇒ ID est commande´ par VGS
Deux structures de JFET (canal N et P)
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1. Le transistor a` effet de champ a` jonction

1.1. Structure et principe de fonctionnement
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1.2. Les differents modes de fonctionnement

1.2. Modes de fonctionnement
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Hypotheses
:
´
JFET canal N, tension VGS < 0 donnee
´ erence
´
Source = ref de potentiel, ie V (S) = 0
VDS > 0 ⇒ potentiel V (x) dans le canal tel que
V (0) = 0 et V (L) = VDS
⇒ WT =

2
[Φ − (V (G) − V (x))] q ND

⇒ WT =

´
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2
[Φ − VGS + V (x)] q ND

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1.1. Structure et principe de fonctionnement
´
1.2. Les differents modes de fonctionnement

´ a - Regime ohmique :
Faibles valeurs de VDS ⇒ V (x) ≈ 0
⇒ WT =

2
[Φ − VGS ] = cte(x) q ND

Conductance du canal :
G=

σab
L

1−

´
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2
(Φ − VGS ) q ND a 2

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1.1. Structure et principe de fonctionnement
´
1.2. Les differents modes de fonctionnement

Conductance du canal :
G = G0

1−

Φ − VGS
Φ − VP

Avec G0 conductance du canal sans ZCE
VP = tension de pincement ( pinchoff voltage ) q ND a 2
VP = Φ −
2
´
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