génie électrique

2331 mots 10 pages
Ecole Nationale d’Ingénieur de Monastir
Département de Génie Electrique
AU: 2014-2015

Chapitre 2

Les principaux composants et fonctions électroniques ZAÏBI.G

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Chapitre 2 Les principaux composants et fonctions électroniques
I – LES DIODES
I – 1 – Physique des composants
La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N.

ZAÏBI.G

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I – 1 – Physique des composants
I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a / Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) :
• Ce sont des matériaux qui sont isolants presque parfaits aux très basses températures. A la température ambiante, ils présentent une conductivité de valeur intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants (leur conductivité croît avec la température).
• Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le germanium (Ge), le silicium (Si) et l’arséniure de gallium (As Ga).
• Les concentrations des deux types de porteurs de charges libres, électrons et trous (lacunes d’électrons), sont égales.
ZAÏBI.G

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I –1 – 1– Les semi-conducteurs b / Semi-conducteurs extrinsèques (ou dopés) :

• En introduisant dans un semi-conducteur une faible proportion d’atomes d'impureté, on modifie considérablement ses propriétés électriques: dopage.
• En dopant le matériau par des atomes pentavalents (phosphore) :
On obtient un semi-conducteur de type N: les électrons sont les porteurs majoritaires .
• En dopant avec des atomes trivalents (bore):On obtient un semiconducteur de type P: les trous sont les porteurs majoritaires .

ZAÏBI.G

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I –1 – 2– Jonction PN
I – 1 – 2 – Jonction PN a / Jonction non polarisée :
Avant d’appliquer une d.d.p extérieure, le déplacement des porteurs majoritaires dans la zone de transition (entre P et N) crée une zone de déplétion vide de tout porteur.
Barrière de potentiel b / Jonction

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