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TEC Diapo

966 mots 4 pages
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TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
TEC Canal N
P

G : Grille

G

S

Canal N

S:
Source
D : Drain
D

Symbole :
Canal N

N
G
P
Substrat N : semi-conducteur de type N
Substrat
P : semi-conducteur de type P
Canal N est conducteur par nature
Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse.

D

G
P

N

Canal P

D

G
S

S

Fonctionnement
TECnormal
Canal N : TEC Canal P
VGS ≤ 0

VGS ≥ 0

VDS ≥ 0

VDS ≤ 0

La source est la référence commune

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Principe de fonctionnement :

G : Grille

G

S:
Source
D : Drain

P
S

D
N

P

Zone de déplétion
G

Zone de charge d’espace VDS = 0
 canal moins
VGS faiblement négativecanal faiblement résistif réduit
:VGS plus résistif canal plus réduit  canal plus négative : 0 :
Tout le canal est
(ID=0 même si VDS › 0)
VGS = Vp < pincé Rq: si VGD = Vp : canal pincé

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Principe de fonctionnement :

VDS =- Vp
ID

G

IDSS

VGS =
0

P
S

D
N

P
G

VDS

VGS = 0
VDS faiblement positive VDS =VDG+VGS=VDG > 0  VGD<
0 :
:
canal faiblement réduit du coté Drain et ID linéaire. 
VGD plus canal plus réduit : Zone de
VDS plus coude. positive uniquement du coté ID = IDSS
VDS=VDSat:=VDG+VGSnégative
=-VGD=-Vp:canal pincé
Drain.
:V > V
: I reste constant et ne dépend que légèrement de
DS

DSAT

D

VDS

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Principe de fonctionnement :

VDS =- Vp
ID

G

VGS =
0

IDSS

P
S

Vp < VGS <
0

D
N

P

VGS =Vp

G

VDS =-Vp +VGS

Vp < VGS < Canal initialement réduit.
0
VDS positive :VDS =VDG+VGS > 0  -VGD+VGS > 0 VGS > VGD :
Canal réduit du coté Drain : ID est
VDS proche de VDSat :Canal pincé uniquement dulinéaire coté Zone de coude Drainconstant
:
VDS > -Vp +VGS : ID reste et ne dépend que légèrement
VGS =Vp :

de VDS
ID=0 même si VDS › 0

VDS

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Modulation du canal.
G
P
S

D
N

VDS

P
G

-Variation de VDS (à VGS =cte) a pour effet de réduire le canal du coté DRAIN
-Variation de VGS à VDS donnée a pour effet de réduire toute la longueur du canal

VGS

TRANSISTOR

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