Caracteristique d'une diode à jonction

Pages: 27 (6742 mots) Publié le: 10 août 2011
CARACTERISTIQUE D'UNE DIODE A JONCTION
1. Fonction "Test diode" d'un contrôleur
• Placer successivement entre les bornes COM et Ω (diode) d'un contrôleur numérique une diode à jonction, une diode Zener (6,2 V), une diode électroluminescente rouge (DEL).
• Noter, pour chaque composant, l'indication du contrôleur pour les deux sens de polarisation et conclure.
| |COM |Ω (diode) |indication |
|diode au silicium |A |K |  |
| |K |A |  |
|diode électroluminescente |A |K|  |
| |K |A |  |
|diode zener |A |K |  |
| |K |A |  |2. Fonction "Test-Composant" d'un oscilloscope : Hameg 205
Cette fonction permet d'obtenir directement la caractéristique i = f(u) du dipôle branché entre la borne T.C. et la masse M.
N.B. : En position "T.C." les autres fonctions de l'oscilloscope sont hors circuit.
Schéma de principe
[pic]
Etalonnage
• Voie X (tension) : placer un voltmètre numérique entre la borne T.C. et la masseM. Noter la valeur efficace Ux(tension à vide) et la longueur du trait horizontal Lx.
• Voie Y (courant) : remplacer le voltmètre par un ampèremètre. Noter la valeur efficace Iy (courant de court-circuit) et la longueur du trait vertical Ly.
• Couper l'alimentation de l'oscilloscope et mesurer, avec un ohmmètre, la résistance RT vue des bornes T.C. et M.
• Déduire des mesuresprécédentes les sensibilités sX et sY des voies horizontale et verticale de la fonction T.C. Justifier vos calculs.
• Calculer la résistance R "vue des bornes" et comparer ce résultat à la résistance mesurée RT.
• Comparer vos résultats aux valeurs typiques fournies par le constructeur.
Utilisation
• Placer successivement entre les bornes T.C. et M une diode à jonction (D), une diode Zener(DZ) puis une diode électroluminescente (DEL).
• Pour chaque composant, reproduire l'oscillogramme en précisant les orientations et les valeurs remarquables des tensions.
3. Caractéristique d'une diode Zener à l'oscilloscope en mode XY
Concevoir et réaliser un montage permettant la visualisation de la caractéristique i = f(u) d'une diode Zener (6V-500mW) avec un oscilloscope en mode XY.• Faire le schéma du montage en précisant les orientations du circuit (courant et tension), les connexions entre le circuit et l'oscilloscope, la nature de l'alimentation.
• Calculer la valeur de la résistance de protection limitant le courant dans la diode (I ≤ 30 mA en inverse). Choisir la valeur simple R = 100 Ω .pour la résistance de mesure
• Représenter l'oscillogramme enprécisant la tension de seuil directe US et la tension Zener inverse UZo de la diode.
[pic]oscillogrammes
4. Caractéristique directe d'une DEL point par point
Réaliser un montage permettant le relevé point par point de la caractéristique directe i = f(u) d'une diode électroluminescente avec l'interface "Fast Lab".
• Faire le schéma du montage en précisant les orientations du circuit (courant ettension), les connexions entre le circuit et l'interface (voies EA0 et EA1) et la nature de l'alimentation.
• Choisir une résistance de mesure R = 100 Ω et une résistance de protection afin de limiter le courant direct à 30 mA.
• Allumer l'ordinateur, lancer le logiciel "Synchronie" et paramétrer l'acquisition.
Options d'acquisitions :
• EA0 : u (aux bornes de la diode), en V,...
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