Stratégique, chapitre 11, 8e édition
Gerry Johnson, Kevan Scholes, Richard Whittington, Frédéric Fréry

À l’intérieur d’Intel

À la fin des années 2000, Intel (une abréviation pour Integrated Electronics) était réputé pour avoir créé l’industrie mondiale du semi-conducteur. Cependant, en trente ans, l’entreprise avait connu deux transformations stratégiques majeures. Époque I Entre 1968 et 1985, lorsque Gordon Moore était son directeur général, Intel a été un fabricant de mémoires. L’entreprise avait été fondée par Gordon Moore et Robert Noyce. C’était alors la première entreprise spécialisée dans les mémoires à base de circuits intégrés. Noyce était le co-inventeur du circuit intégré, alors que Moore, un chimiste, voyait tout le potentiel de la technologie de fabrication des semiconducteurs à base d’oxyde de métal (MOS), qui permettait de fabriquer des mémoires en grande quantité et à faible coût. Tous les deux quittèrent Fairchild Semiconductors, une filiale de Fairchild Camera and Instrument Corporation qu’ils avaient aidé à fonder. Selon Noyce, les dirigeants de Fairchild n’encourageaient pas l’innovation, peut-être parce que l’entreprise était devenue trop grosse et trop complexe. Andy Grove, qui travaillait dans la même filiale, décida de rejoindre Noyce et Moore chez Intel, car il pensait que leur départ serait fatal pour Fairchild Semiconductors. L’ambition des trois associés n’était pas de transformer l’industrie, mais de produire des puces qui du fait de leur complexité n’entreraient pas en concurrence frontale avec celles de Fairchild. Deux événements furent cruciaux au cours des premières années. Tout d’abord, si la première mémoire produite par Intel était statique (SRAM), elle fut rapidement remplacée par une mémoire dynamique (DRAM). Deuxièmement, suite à la défaillance d’un sous-traitant, incapable de proposer le nouveau procédé de fabrication demandé, Intel fut obligé de prendre en charge la totalité de son processus de fabrication, mais aussi