Composants ED3 | |
Exercice1

Comparer les résistivités des matériaux suivants :

Cuivre ; concentration des électrons n=11.1028 m-3 ; mobilité (n=3,2.10-3 m2V-1s-1

Silicium à 300K ; Nd=1015cm-3

Exercice 2

Soit un barreau de Germanium dopé d’un atome d’arsenic pour 106 atomes de germanium.

Densité = 4,41.1022 cm-3 ni=2,5.1013 cm-3

1. Quel semi-conducteur obtient-on ? Calculer n et p.

2. Sachant que (n=3500 cm2V-1s-1 et µp=1500cm2V-1s-1, calculer la conductivité du cristal dopé ainsi que sa résistivité. Comparer cette valeur à celle du matériau intrinsèque : (n=3900 cm2V-1s-1 et µp=1900 cm2V-1s-1

3. Le barreau à une section de 1,2 mm2 et de longueur 1,3 cm soumis à une ddp de 0,5V Calculer J et I.

Exercice 3

On considère une plaquette de silicium intrinsèque d’épaisseur 250µm.

On donne : à T=300K

N=5.1022 cm-3 , (n=1200 cm2V-1s-1 , µp=300cm2V-1s-1 , (i=4.105 (cm

1. Calculer la densité de porteurs intrinsèques ni.

2. Le Silicium est dopé avec de l’antimoine en raison d’un atome d’antimoine pour 5.105 atomes de silicium.

Calculer les densités d’électrons et des trous. Calculer la résistivité de la plaquette.

3. La plaquette précédente est dopée une deuxième fois avec de l’indium dans les proportions d’un atome d’indium pour 4.105 atomes de Silicium. Calculer les densités d’électrons et de trous. Calculer la résistivité de la