I. -BUT
Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1).
II. BRANCHEMENT EN DIRECT
1) DIODE AU SILICIUM VALEURS RELEVEE AU VOLTMETRE ET A L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15
Ud(V) 0 0,05 0,15 0,25 0,75 0,8 0,85 0,875 0,9
I(A) 0 0 0 0 6,67.10 0,03 0,05 0,0675 0,1

Caractéristique d’une diode au silicium

2) DIODE ZENER

VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET A L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15
Udz 0 0,055 0,18 0,28 0,8 0,82 0,85 0,875 0,92
I 0 0 0 0 7.10-4 0,04 0,05 0,07 0,13

Caractéristique d’une diode zener

III. BRANCHEMENT EN INVERSE
1. DIODE AU SILICIUM

VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET L’AMPEREMETRE
E 0 2,5 3,5 5 6 8 10
Ud 0 2,49 3,5 5 6 8 10
I 0 0 0 0 0 0 0

Caractéristique d’une diode au Silicium en inverse 2. DIODE ZENER VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15 16
Ud 0 0 0,42 0,92 1,84 5,15 6,75 8 8,6 8,8
I 10-4 2.10-4 3.10-4 6.10-4 7.10-4 8,75.10-4 0,01225 0.0721 0,12

Caractéristique d’une diode Zener en inverse

IV. Equipement nécessaire
• Une alimentation stabilisée réglable de 0 à 15V
• Une diode au silicium
• Des résistances
• Deux multimètres (analogues ou numériques)
• Un