Rapport de tp d'electronique

Pages: 2 (349 mots) Publié le: 1 février 2013
I. -BUT
Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, lacaractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverselorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1).
II. BRANCHEMENT EN DIRECT
1)DIODE AU SILICIUM

VALEURS RELEVEE AU VOLTMETRE ET A L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15
Ud(V) 0 0,05 0,15 0,25 0,75 0,8 0,85 0,875 0,9
I(A) 0 0 0 0 6,67.100,03 0,05 0,0675 0,1

Caractéristique d’une diode au silicium








2) DIODE ZENER


VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET A L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 46 8 10 15
Udz 0 0,055 0,18 0,28 0,8 0,82 0,85 0,875 0,92
I 0 0 0 0 7.10-4 0,04 0,05 0,07 0,13

Caractéristique d’une diode zener


III. BRANCHEMENT ENINVERSE
1. DIODE AU SILICIUM



VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET L’AMPEREMETRE
E 0 2,5 3,5 5 6 8 10
Ud 0 2,49 3,5 5 6 8 10
I 0 0 0 0 0 0 0

Caractéristiqued’une diode au Silicium en inverse

2. DIODE ZENER

VALEUR RELEVE AU VOLTMETRE ET L’AMPEREMETRE
E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15 16
Ud 0 0 0,42 0,92 1,84 5,15 6,75 88,6 8,8
I 10-4 2.10-4 3.10-4 6.10-4 7.10-4 8,75.10-4 0,01225 0.0721 0,12

Caractéristique d’une diode Zener en inverse


IV. Equipement nécessaire• Une alimentation stabilisée réglable de 0 à 15V
• Une diode au silicium
• Des résistances
• Deux multimètres (analogues ou numériques)
• Un oscilloscope.
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