Scarface

589 mots 3 pages
SOMMAIRE .
I/ INTRODUCTION…………………………………………………………………………………………………….
II/SYMBOLE ET CONSTITUTION……………………………………………………………………………….
III/CARACTERISTIQUE CRITERE DE CHOIX…………………………………………………………….
IV/ FONCTIONNEMENT……………………………………………………………………………………………
V/ CONCLUSION………………………………………………………………………………………………………

I/INTRODUCTION
Les circuits intégrés à technologie MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) sont réalisés à partir de transistors MOS. Comparée à la technologie TTL cette technologie, consomme moins d’énergie, a une marge de sensibilité aux bruits plus large, fonctionne sous une gamme de tensions d’alimentations plus grande, a une sortance plus élevée et une densité d’intégration plus importante. Néanmoins la technologie TTL est plus rapide. En technologie MOS il existe 2 sous-familles différentes qui sont les 4XXX CMOS Classiques et les 74Cxx (technologie identique à la série 4000) et on distingue trois catégories de circuits MOS qui sont les PMOS, les NMOS, et les CMOS. Bien sur dans cet exposer il ne s’agira pas de faire une étude des circuits MOS en générale mais plutôt l’étude d’une catégorie spécifique de circuits MOS en ce qui nous concerné les circuits PMOS à enrichissement. Sur ce, sans plus tarder nous allons aborder la deuxième partie de cet exposé dans laquelle très brièvement sera illustré le symbole et la constitution de ces circuits PMOS
II/SYMBOLE ET CONSTITUTION
1- SYMBOLE

Tous comme les transistors ordinaires les MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effet Transistor) sont des circuits a trois pattes a la différence que les pattes de ceux-ci se nommes S : Source, D : Drain, G : Grille (Gate), B : Substrat (Bulk).
2-CONSTITUTION
Les circuits PMOS sont Constitué uniquement de transistors MOS à enrichissement canal P. Etant des MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effet Transistor) ou

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