TP RF

Pages: 15 (3619 mots) Publié le: 18 décembre 2014
Vendredi 10 Mai 2013

RAPPORT
INTERMEDIAIRE
CHARLES ANE
HELOÏSE BLETON
LOÏC BOISSON
NOE CRINER
LAURA DE UBEDA
MATHIEU JASKULKE
JIAHENGYU

PROJET RF
GROUPE 1

SUJET LNA AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT
TECHNOLOGIE GSM

Génie Electrique | Module Télécommunications 2

Sommaire
Sommaire.............................................................................................................................................. 2
Résumé ……………………………………………………………………………………………………………………………………………..3
Introduction ........................................................................................................................................... 4
I.

Exercices d’application............................................................................................................. 5

1.

EXERCICE 1 - FACTEUR DE BRUIT ET THEOREME DE FRIIS DANS UNE CHAINE D 'AMPLIFICATION ............. 5

2.

EXERCICE 2 - PHENOMENE DE NON LINEARITE DANS UN AMPLIFICATEUR ........................................... 9

3.

EXERCICE 3 - ADAPTATION PAR ELEMENT DISCRET D'UN TRONÇON DE LIGNE ................................... 12

4.

EXERCICE 4 -ETUDE D’UN OSCILLATEUR ....................................................................................... 17

II.

Rapport de simulation ............................................................................................................ 24

1.

ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 241.1.

Etude statique ..................................................................................................................... 25

1.2.

Etude dynamique : détermination des paramètres S ......................................................... 28

1.3.

Etude dynamique : adaptation d’impédance ...................................................................... 311.4.

Etude de bruit ...................................................................................................................... 34

1.5.

Harmonic Balance................................................................................................................ 35

2.

ETUDE DU TRANSISTOR A EFFETS DE CHAMP (JFET)...................................................................... 39
2.1.

Etude statique ..................................................................................................................... 40

2.2.

Etude dynamique : détermination des paramètres S ......................................................... 42

2.3.

Etude dynamique : adaptation d’impédance...................................................................... 46

2.4.

Etude de bruit ...................................................................................................................... 47

2.5.

Harmonic Balance................................................................................................................ 48

3.

ETUDE DU TRANSISTOR MOSFET............................................................................................... 50
3.1.

Etude statique ..................................................................................................................... 51

3.2.

Etude dynamique : détermination des paramètres S ......................................................... 52

3.3.

Etude dynamique : adaptation d’impédance...................................................................... 56

3.4.

Harmonic Balance................................................................................................................ 58

Conclusion ........................................................................................................................................... 63
Bibliographie...
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