Collecteur et émetteur

nombre volumique en impuretés distinguent les deux couches externes: émetteur et collecteur. Par extension, on appelle également base, émetteur et collecteur les trois électrodes qui donnent accès aux trois couches correspondantes. Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux régions entre lesquelles elles assurent la transition; on trouve, par conséquent, la jonction base-émetteur (BE) également dénommée jonction de commande et la jonction basecollecteur

transistor sont accessibles ; il y a donc 3 possibilités pour superposer des variations aux grandeurs I1 continues dans ce montage : Attaque sur la base, l’émetteur ou le collecteur. En pratique, seule l’injection sur la base et l’émetteur sont utilisées. Le prélèvement des signaux amplifiés s’effectue essentiellement sur le collecteur ou sur l’émetteur Afin de ne pas modifier le comportement du transistor pour le régime continu, la liaison entre le générateur qui injecte les variations et le transistor

vu la base du transistor montrer que la base du transistor est bien polarisé en tension 1 Exercice 3 ! EFFETS DE LA TEMPÉRATURE SUR LES TRANSISTORS La température modifie simultanément ∆Vbe = −2.5mV OC −1 ∆T ∆Icbo - La jonction bloquée base collecteur = 50nAO C −1 ∆T ∆β - Le gain en courant = 0.6%O C −1 β ∆T 1. On rappelle : Ic = βIb + (β + 1)ICbo Montrer que variation ∆Ic du courant Ic en fonction ∆Vbe, ) ∆Icbo et ∆β engendrés(par la variation de température peut être sous forme : 2. ΛIc = SVbe

appelées respectivement : Base, Collecteur et Emetteur. Le transistor est bloqué si : Ib est nul ⇒ Ic = 0 II SYMBOLE PNP NPN Ic = Le transistor est équivalent à : Veb Ib B Vbe C B Vce Ib E Ie C Ib = 0 Ie Ic B E Vec E C Ic III DÉFINITION DES GRANDEURS CARACTÉRISTIQUES 2.2- Transistor saturé : interrupteur fermé Le transistor est saturé si : - Ib : courant de base. - Ic : courant de collecteur. - Ie : courant d'emetteur

bipolaire est un composant à trois pattes (Base, émetteur, collecteur)  , il est composé d’un cristal semi-conducteur comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée pour la base B et une grande région N moyennement dopée pour le collecteur C. Le transistor permet donc d’amplifier de

fonctionnement de sortie appartenant à la droite de charge est l'intersection de cette droite avec la caractéristique tracée pour IB=0 : le point MB (jonction B-E est polarisée en inverse ). La tension de sortie prend une valeur voisine de VCC et le courant collecteur est égale au courant de fuite ICE0 (de l'ordre de quelques dizaines de µA). La puissance dissipée dans le transistor est : PB = VCC . ICE0 . NOTE : Dans un transistor bloqué, les deux jonctions B-E et B-C sont polarisées en inverse, le transistor

TRANSISTOR BIPOLAIRE I – Introduction I.1 – Constitution n Le  transistor  bipolaire  est  réalisé  dans  un  monocristal  comportant  trois  zones  de  dopage différentes. n p p n C ⇔ collecteur base émetteur p n p On reconnaît deux jonctions PN  que  l'on  peut  considérer  comme  deux diodes lorsque le transistor  n'est pas polarisé. B n E Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct

absence du faisceau (faisceau masqué) on constate que le relais reste fermé. On retrouve bien la simulution attendue. Le signal de la clé représenté par le faisceau et la fermeture centralisée représentée par le relais. Que dire de la distance émetteur - récepteur ? Des émissions parasites peuvent-elles influencer le système ? La diode émettrice envoi un signal à la diode réceptrice. Ce signal admet un maximum. Si la distance entre les deux diodes est trop importante, il se peut que le signal

transistor bipolaire Paramètres hybrides h21 = ic ib = v ce =0 ∆IC ∆I B Vce =Vce0 IC IC0 h21 On remarque graphiquement, que h21 et βF sont deux pentes proches. βF est le gain en courant statique, alors que traduit les variations du courant collecteur avec celles du courant base. En pratique, on confond ces deux grandeurs et on ne parle que d’un seul bêta pour le transistor : βF IB IB0 β = βF = h21. 18/10/2004 10 Amplificateurs à base de transistor bipolaire Rg ig c I + i

Amplification de courants par transistor bipolaire. I. Le transistor bipolaire : Un transistor comporte trois bornes : la base noté B, l’émetteur E et le collecteur C Ils sont de deux types : soit NPN soit PNP. Symboles : [pic] Relation entre les courants : [pic] Ecrire la loi des mailles pour retrouver la relation suivantes dans les 2 cas : [pic] II. Relevé de la caractéristique d’entrée du transistor : On désire relever la caractéristique d’entrée VBE( IB )