Diode électroluminescente

I'intermédiaire d'une diode supposée parfaite, un récepteur qui comporte une résistance R en série avec une inductance L. On demande : 1. 2. 3. 4. 5. Faire le schéma de montage ? L'expression du courant dans le récepteur ? La courbe représentative du courant en fonction du temps ? Les valeurs moyennes de la tension et du courant du récepteur ? Représenter la tbrme de la tension aux bomes de la diode? Exercice 3 ; Reprendre i'exercice no2 en remplaçant la diode pal pn thyristor

Contrôle de phase et gradateurs : corrigés Rappel : Réglage de phase et contrôle de puissance 1 Réglage de phase demi–onde : redressement contrôlé monophasé simple alternance Emax EA TENSION : e TENSION AUX BORNES DE LA CHARGE TENSION AUX BORNES DU SCR  ANGLE D'AMORÇAGE  ANGLE DE CONDUCTION la tension d'alimentation : es = Emax sin t = Emax sin x = 2Eeff MODIFICATION CHARGE  : angle d'amorçage et POUR OBTENIR  : angle de conduction :  = 180°

Nadim Salaani Technologie 4eme4 La pile Symbole: Fonction: Une pile est un appareil qui transforme une réaction chimique en énergie électrique. La diode Symbole: Fonction: Une diode est un appareil qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Le condensateur Symbole:  Fonction: Un condensateur est un composant électrique qui permet de stocker des charges électriques opposées sur ses armatures. Le condensateur

circuits électriques simples. Calculer la résistance à l’aide de la loi d ’Ohm. MATÉRIELS : Source de tension à courant continu Ampèremètre, voltmètre, multimètre numérique Plaquette de montage (protoboard) 3 résistances assorties Une diode IN4002 Une résistance à sorties multiples (bobine) THÉORIE : Les résistances • La résistance électrique est analogue au frottement mécanique. La résistance détermine la grandeur du courant dans le circuit ; plus la résistance est grande

: u R U = V√2/2 2π π 0 VD Tension maximale supportée par la diode :   VDmax = V√2 D D passante bloquée Redresseur monophasé- double alternanceSchéma de montage PD2 Grandeurs caractéristiques Valeur moyenne de u : i vD1 D1 u D3 U=V v1 VD1 VDmax = V√2 Schéma de montage P2 VD1 D1 2π π 0 Tension maximale supportée par la diode : D4 D2 umoy = 2V√2/π Valeur efficace de u : R v u  D2

aperçu de la grande majorité des montages rencontrés dans la pratique. C1.4 Le redressement mono-alternance Ce redressement s'obtient à l'aide d'une diode en série avec la résistance de charge Rch. C'est le circuit de redressement le plus simple que nous pouvons rencontrer. Lors de l'alternance positive de la tension d'entrée, la diode D conduit et présente à ses bornes 0,6V. La tension d'entrée est appliquée à la résistance de charge Rch. Le courant dans la Rch vaudra ÎRch = Û - 0,6 / Rch

Fréquencemètre Phasemètre Mesure du déphasage entre I et U Wattmètre Puissance active : P = _____________ Puissance apparente : S = _________________ Puissance réactive : Q =_________________ Terre sans bruit Alternatif / Continu Ou pont redresseur Diode Diode Zener Diac 2 diodes montées tête-bêche Triac 2 thyristors montés tête-bêche Schunt (mesure électrique) Thyristor Résistance variable Cristal piézo-électrique (Quartz) Délivre une fréquence fixe Oscilloscope Thermistance ( Coef. de Température Positif

tension d’alimentation de (5V) et un courant de 0.5A, ainsi nous devons choisir un transformateur dont la tension maximale au secondaire est supérieure à 9 V 1.2. Choix de pont de redressement Le choix de pont de diode est basée essentiellement sur : La tension inverse maximale de diode. Le courant moyen direct. 1.3. Choix des condensateurs Choix des condensateurs de filtrage: Pour obtenir une tension presque constante il faut brancher un ou plusieurs condensateurs en parallèle juste à la sortie

(silicium de type P)

Les atomes de phosphore peuvent libérer facilement un électron: c'est des donneurs (silicium de type N)

Une pièce de silicium avec une partie P et une partie N peut conduire l'électricité seulement dans un sens: c'est une diode Page 10 Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Les transistors

Un dispositif plus complexe est le transistor, avec une région région de silicium placée entre deux autres de type différent Page 11 Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique

Canal P induit G D B S Fonctionnement normal Canal N induit : Canal P induit VGS ≥ 0 VGS ≤ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 TRANSISTOR MOS MOS A CANAL N INDUIT : MOS à enrichissement G S isolant N P BULK/BOD Y D VDS = 0 N Entre G et S : jonction PN (Diode) conductrice si VGSVT VGS légèrement positive (VGSVT ) Un mince canal N se forme. VGS dépasse VT : Le canal s’élargie est devient plus conducteur Rq. Le canal N induit à une épaisseur faible : conduction se fait en surface. TRANSISTOR MOS MOS