Silicium

existent:  Le silicium monocristallin Les panneaux solaires monocristallins sont les panneaux qui ont des taux de rentabilité les plus élevés. Leur fabrication étant complexe, ils coûtent bien plus chers, et leur gain de productivité est moindre.  Le silicium polycristallin Les panneaux solaires polycristallins sont principalement caractérisés par un bon rapport qualité/prix. Cela signifie que le prix par kWc est plutôt avantageux, car la fabrication est bien moins coûteuse.  Le silicium amorphe

sont constituées de semi-conducteurs à base de silicium, de tellure et de sulfure de cadmium. Ils se superposent, formant deux fines plaques qui sont en contact. {draw:frame} {draw:frame} Chaque plaque constitue une couche. Puisque chaque cellule est formée par deux plaques, alors il y a deux couches : Une supérieure et une inférieure. La couche supérieure est constituée de silicium, possédant une quantité d’électrons supérieure au silicium pur. On dit qu’il s’agit d’un semi-conducteur

dispositif peut pénétrer dans le cristal au travers de la grille et provoquer l'apparition d'une tension entre la cathode et l'anode. En général le semi-conducteur de base est du silicium monocristallin comme celui qui est utilisé pour la fabrication des transistors mais on rencontre maintenant plus fréquemment du silicium polycristallin moins coûteux à produire. La photoconductibilité Dans l'obscurité un cristal ordinaire de semi-conducteur présente une résistivité élevée. Lorqu'il est fortement

permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1). II. BRANCHEMENT EN DIRECT 1) DIODE AU SILICIUM   VALEURS RELEVEE AU VOLTMETRE ET A L’AMPEREMETRE E 0 0,5 1 2 4 6 8 10 15 Ud(V) 0 0,05

caractéristiques mécaniques que le laiton - Moins bonne aptitude au moulage Nom Symb ole Nom Symb ole Aluminium Al Nickel Ni Antimoine Sb Niobium Nb Beryllium Be Phosphore P Bore B Plomb Pb Cérium Ce Potassium K Chrome Cr Silicium Si Cobalt Co Soufre S Cuivre Cu Tantale Ta Etain Sn Titane Ti Fer Fe Tungstène W Magnésium Mg Vanadium V Manganèse Mn Zinc Zn Molybdène Mo Zirconium Zr INFLUENCE DES ELEMENTS D'ALLIAGE Aluminium Azote L'aluminium

- e  α.d  • Le coefficient d’absorption  dépend : – du matériau – de la longueur d’onde de l’énergie incidente 32 II-1. Conversion de la lumière en électricité • Quelques exemples : – Silicium cristallin : • sur une tranche d’épaisseur 100 m, la totalité de l’énergie incidente est absorbée – Silicium amorphe : • une couche de 1 m suffit pour capter la totalité du rayonnement Données pour =0,59m : 33 II-1. Conversion de la lumière en électricité • Des techniques supplémentaires permettent

essentiellement constituée de silicium pour des raisons de propriétés électroniques. En effet l'atome de silicium possède quatre électrons sur sa couche externe ce qui lui permet d'être lié à quatre autres atomes (configuration électronique du silicium: (K)² (L)8 (M)4 ). Une cellule est composé deux couches respectivement dopé N et P c'est à dire qu'elles sont dopé négativement ou positivement. En effet en rajoutant quelques atomes de phosphore dans les couches de silicium un électron ne participe pas

importante des modules PV est assurée par la première génération de modules à base de plaquettes (150-300 mm d’épaisseur) en silicium cristallin (Si), monocristallin (sc-Si), multicristallin (mc-Si) ou ruban (ribbon) représentant ensemble de l’ordre de 93 % de la production totale de modules PV (figure 2). Cette génération de modules doit son succès à la disponibilité du silicium, à la maîtrise des procédés de fabrication et à l’automatisation des étapes. Elle permet d’obtenir un rendement de conversion

limiter le débit de données. 2) La surveillance des faisceaux de protons Au premier lancement du LHC, CMS utilisait un ensemble de petits détecteurs afin de surveiller les conditions des faisceaux. Les détecteurs destinés à les suivre étaient en silicium et sont très sensibles aux pertes de faisceau, même minimes, et un système de sécurité les empêche de s'allumer si les détecteurs de contrôle du faisceau ne mesurent pas de bonnes conditions de faisceau. Ces détecteurs de contrôle, tels que le

Synthèse de nanocristaux de semi-conducteurs. Ici, enrobage de nanocristaux de CdSe par une coquille de ZnSe/ZnS pour améliorer leurs propriétés optiques. cœur (CdSe) diamètre 2-10 nm 2 nm cœur de silicium couche de ligands épaisseur 1 nm 1 absorbance normalisée enveloppe d’oxyde de silicium 10 nm éclairage visible 400 500 600 longueur d’onde (nm) 1 intensité de fluorescence normalisée éclairage ultraviolet énergie de photoluminescence (eV) 2,0 1,8 1,6 1,4 1 b 2 3 4 5 6 7 8 0