Silicium

électronique de l’atome C de carbone : K2 L4 Hydrogène : Nombre d’électrons : 1 K L M 1 0 0 On notera la structure électronique de l’atome H d’hydrogène : K1 Silicium : Nombre d’électrons : 14 K L M 2 8 4 On notera la structure électronique de l’atome Si de silicium : K2 L8 M4 La couche externe est la dernière couche contenant des électrons. Les autres couches sont dites « internes » ; elles sont saturées. 

photovoltaïque est fabriquée à partir de deux couches de Silicium (matériau semi-conducteur) : - une couche dopée avec du Bore qui possède moins d'électrons que le Silicium, cette zone est donc dopée positivement (Zone P ).- une couche dopée avec du Phosphore qui possède plus d'électrons que le Silicium, cette zone est donc dopée négativement. (Zone N). Lorsqu'un photon de la lumière arrive, son énergie crée une rupture entre un atome de silicium et un électron, modifiant les charges électriques. C'est

1.2 Influence de l'ensoleillement * 2 Économie * 2.1 Incitations étatiques et coût financier * 2.2 Emplois * 2.3 Capacités de production dans le monde * 2.4 Principales entreprises du secteur * 2.4.1 Producteurs de silicium * 2.4.2 Producteurs de cellules * 2.4.3 Producteurs d'équipement de fabrication de cellules * 2.4.4 Producteurs de panneaux solaires photovoltaïques * 2.4.5 Autres * 2.5 Prix des équipements (hors taxes)

covalentes initiales sont restaurées, mais un des électrons n'est pas utilisé dans ces liaisons. L'atome inséré est dit donneur (d'électron). C'est un dopage de type N. On peut effectuer, sur le nitrure de gallium, un dopage de type N avec du silicium et un dopage de type P avec du magnésium. Lorsque l'on met en contact un matériau dopé P et un matériau dopé N, les porteurs de charge (c'est-à-dire les trous côté P et les électrons côté N) suffisamment proches de cette jonction P-N vont se diffuser

pour illustrer, ce rapport est un suivi de dépôt de nitrure d’aluminium AlN de 400nm, sur un substrat de silicium. Celui ci a été analysé par diffraction X θ - 2θ après plusieurs cycles de vieillissement dans un four à 400°C, c'est-à-dire une mesure de référence à 0h, une mesures après 250h dans le four , après 500h et après 750h. Les courbes obtenues (Figure 11) montre un pic large de Silicium (Si) situé à un angle 2θ de 70°. L’AlN non vieillis montre un pic de forte intensité correspondant à un

Carburation ......................................................................................... 3.2.2 Sulfuration........................................................................................... 3.2.3 Pertes par oxydation en fer, silicium, manganèse ........................... Gaz dans la fonte ......................................................................................... 3.3.1 Hydrogène...................................................................................

fonctionnements sont identiques mais les sens des tensions et des intensités les différencient. Représentations symbolique des transistors de types PNP et NPN Le transistor est fabriqué à partir d’un semi-conducteur : le silicium, ou le germanium. Le plus courant est le type NPN. On rencontre le transistor dans la plupart des appareils électroniques. Schémas normalisé du transistor

électroérosion les céramiques à base de nitrure de silicium Le procédé est apte à usiner : les alliages métalliques (aciers ; alliages réfractaires à base de nickel, cobalt, titane ; alliages à base d’aluminium, cuivre, etc.) ; les graphites les céramiques conductrices ou semi-conductrices (SiC, B4C, TiB2, ZrB2, TiAl, Ni3Al, FeAl, etc.) certains matériaux composites (SiC-SiC par exemple) certains matériaux semi-conducteurs (silicium, germanium, etc.) des matériaux supraconducteurs

l’organique * Matériau solide et amorphe, dur et cassant. Etat visqueux, s’obtient fusion à 1500° d’un mélange d’oxyde (silicium) * Passe de l’état solide à liquide pas l’intermédiaire d’un état vitreux (absence de cristaux) => permet travaille à chaud et donc moulage. Les matériaux minéraux standards * Indice 1.5, matériau traditionnel (constitué à 60-70% de silicium et le reste de calcium, de sodium ou de bore) * Indice 1.6 matériau minéral standard (mélange d’oxyde de Titane)

O. Déterminez le pourcentage massique de l’oxygène et la formule empirique de ce composé si les pourcentages massiques des autres éléments sont : 19,8 % C, 2,50 % H, 11,6 % N. Exercice 18 On peut obtenir du tétrachlorure de silicium (SiCl4) en chauffant du silicium (Si) dans le chlore gazeux : Si(s) + 2 Cl2(g) SiCl4(l) S’il ya production de 0,507 mol de SiCl4, combien de moles de molécules de chlore ont été utilisées ? Exercice