L'invention de l'effet transistor se situe dans un contexte qui trouve ses racines dans les débuts de la radioélectricité et dans la téléphonie. Depuis 1936 les laboratoires Bell's cherchaient à remplacer les commutateurs électromécaniques des centraux téléphoniques par des dispositifs statiques plus fiables. D'autre part, la seconde guerre mondiale a provoqué un développement rapide des semi-conducteurs (germanium) pour réaliser les diodes de détection des radars .Les matériaux semi-conducteurs sont progressivement apparus avec la radioélectricité. D'abord la galène, puis l'oxyde de cuivre, le sélénium et enfin le germanium. Ces matériaux étaient poly-cristallins et étaient utilisés pour réaliser des détecteurs et des redresseurs. Les propriétés curieuses, et même versatiles, de ces matériaux ont interpellé les chercheurs. Les effets semi-conducteurs ne sont apparus qu'avec la mise au point de techniques de purification extrême. Il faut en effet obtenir une pureté de 10-12 pour pouvoir réaliser un transistor. Les premiers matériaux semi-conducteurs modernes (silicium dopé de type N et P) ont été réalisés par S. Ohl, JH. Scaff et HC. Theurer aux Bell's lab au début de 1940 sous la direction de WH. Brattain. Des jonctions PN furent ensuite réalisées et la technique de fabrication des monocristaux par tirage fut mise au point vers 1947. La théorie des semi-conducteurs s'était développée à partir des travaux théoriques de Brilloulin.
Le transistor à effet de champ a été inventé en 1925-1928 par JE. Lilienfeld. Un brevet a été déposé, mais aucune réalisation n'a été possible avant les années 60. Tous les chercheurs qui ont participé à la saga du transistor cherchaient d'abord à réaliser ce type de composant qu'ils considéraient comme des triodes à l'état solide (d'où le nom de grille pour l'électrode de commande). Toutes ces tentatives aboutissaient sur des échecs. La difficulté provenait du contrôle de l'état de l'interface entre l'isolant de grille et le