Pourquoi le silicium :
Le choix du silicium comme semi conducteur des wafers s’explique par les différents avantages qu’il a par rapport aux autres semi conducteur comme le germanium par exemple.
Son point de fusion est très élevé, vers 1420 degré Celsius, et son composé SiO2 est facile à former, stable à haute température (jusqu’à 1500 degré Celsius) , ne se dissous pas dans l’eau etc.

Les différents types de wafer :
Il y a différent type de wafer (type N et P) suivant les dopants utilisés.
Comme vu dans le cours, le dopage de type N est obtenu en ajoutant du Phosphore, de l’Arsenic ou de l’Antimoine et ce lui de type P demande du Bore généralement

Phase de découpage :
Une fois les lingots d’un mètre terminé, il faut les découper en de fines tranches. On utilise pour cela une scie en diamant.

Phase de rodage :
Après avoir découpé les wafers, il y a des marques de scies ainsi que d’autres défauts à corriger sur le wafer, et il faut aussi rendre la plaquette plus petite.
Une fois le rodage terminé, il faut passer par une phase de nettoyage pour éliminer les microfissures et les dégâts de surface provoqués par le processus de rodage. On nettoie donc avec de l’hydroxyde de sodium ou de l’acide acétique ainsi que de l’acide nitrique pour cela. On rince avec de l’eau déminéralisé.
Un autre point important est l’arrondissement de l’arête, qui peut réduire de 400% les risques de ruptures lors des étapes restantes.
Phase de polissage :
Une fois la plaquette nettoyée, il faut la polir, d’un ou des 2 cotés selon le procédé utilisé. Le polissage ne peut être fait que par des machines très précises. Il peut là aussi y avoir quelques problèmes appelés « backside damage » .
On rince à nouveau à l’eau déminéralisé après cette phase.
Il ne reste plus que 2 étapes pour nettoyer et vérifier le bon état du wafer.
Phase de nettoyage final :
Le wafer est presque prêt, il reste à enlever toutes traces de métaux, de résidus, ainsi que les particules de surface.