CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION

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Références de tension.
2.1 INTRODUCTION
2.1.1 Généralité La majorité des références de tension modernes sont construites selon trois principes différents. Les caractéristiques principales d’une référence de tension sont la précision absolue de la tension, la dérive en température, le niveau de bruit, la consommation et la stabilité au vieillissement. 2.1.2 Référence de tension de type « bandgap » La référence de tension de type bandgap est basée sur l’exploitation des caractéristiques de la tension thermodynamique VT. La Figure 2-1 donne le schéma de principe de ce type de référence

2.

Figure 2-1 : Architecture des références de tension « Bandgap »

2.1.3

Référence de tension de type « diode Zener enterrée » La référence tension de type « diode Zener enterrée » est basée sur l’utilisation de Zener enterrée (buried Zener diode) dans le but de minimiser le bruit, la dérive thermique et d’améliorer la stabilité dans le temps. La Figure 2-2 illustre le principe de base de ce type de référence de tension

CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION

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Figure 2-2 : Architecture des références de tension « Zener enterrée »

2.1.3.1

Référence de tension de type « XFET »

La référence tension de type XFET est basée sur l’utilisation de la tension de pincement des transistors à effet de champ (XFET : eXtra implanted FET). La Figure 2-3 met en évidence la structure de base d’une référence de tension de type XFET.

Figure 2-3 : Architecture des références de tension « XFET »

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2.2 RÉFÉRENCE DE TENSION ISSUE D’UNE DIODE ZENER
2.2.1 Généralités Une diode Zener présente, dans le sens passant, des caractéristiques identiques à celles d’une diode normale. Par contre dans le sens inverse, un courant peut circuler si la tension appliquée aux bornes de l’élément semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de