Collecteur et émetteur

avec un courant de 20mA. Pour un fonctionnement en commutation, on satisfait donc l’inéquation IB ≥ IC / 30 000 pour obtenir la saturation du Darlington. Pour le dimensionnement de la résistance de base, il faut tenir compte des deux jonctions base-émetteur : on a donc un VBE > 1,2V (voir notice technique du composant utilisé) qui correspond à la somme des deux VBE des transistors. De même pour le calcul du courant IC SAT il faut également tenir compte que : VCE SAT = VCE SAT T1 +VBE T2 > 0,2V (voir

courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région précise d’un petit bloc de silicium : la base, le collecteur et l’émetteur. Il existe deux sortes de transistors bipolaires : les transistors NPN et les transistors PNP. 1.2 Vidéo : l’Effet transistor Regardez attentivement la vidéo « Effet transistor », et répondez aux questions suivantes : 1 – Quels

signaux du transistor. Paramètres hybrides. B. MONTAGE ÉMETTEUR COMMUN. 1. Polarisation. Point de fonctionnement. Polarisation par une résistance. Polarisation par pont de base. 2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs. Fonctionnement intuitif. Gain en tension. Schéma équivalent de l'étage amplificateur. Impédance d'entrée. Impédance de sortie. Gain de l'étage en charge. Bilan. Utilisation du montage. C. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN. 1. Polarisation. Point de fonctionnement. 2.

analogique 2 II] Généralités sur la fonction amplification 3 1) Traducteurs idéaux 3 2) Traducteurs faisant apparaitre leurs défauts ordre 1 paramètres résistifs 4 3) Montages de bases en analogique bipolaire. 5 a. Montage émetteur commun. 6 b. Montage collecteur commun. 9 c. Montage base commune. 10 d. Synthèse des montages 10 e. Polarisation et indépendance aux variations de températures. 11 f. Distorsion harmonique d’un amplificateur (identification des contributeurs) 15

................. 18 2 Introduction : Le transistor est aujourd'hui omniprésent, c'est un dispositif à semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de champ). qui peut fermer ou ouvrir des circuits électriques

base et attaque par l’émetteur . . . . . . . 41 3.2.2 Montage émetteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 3.2.3 Montage collecteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 3.2.4 Montage base commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 3.3 Résumé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 3.4 Présentation graphique de l’amplificateur en émetteur commun . 54 3.5 Problèmes . . . . . . . . . . . . . . . . .

....... 4 2) Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4 a) Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4 b) polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................. 5 C) Polarisation en mode normal du BJT ........................................................................ 6 III ETUDE

batteries, loi d'Ohm. Les problèmes techniques comme la nonlinéarité ou le comportement en fréquence ne sont pas abordés. Description du transistor Le transistor est un composant d'où sortent 3 fils électriques. Ils sont dénommés B (base), C (collecteur), et E (émetteur). Voici un dessin du transistor BC 547, agrandi quatre fois : Voici la représentation symbolique du transistor NPN les plus utilises dans les schémas électroniques . Le principe de fonctionnement • Si on branche une source de tension

couches de semi-conducteur de dopage opposé et reliées entre elles pour former l'électrode que l'on nomme la grille (cf. base d'un transistor bipolaire). Les extrémités du canal forment deux autres électrodes nommées le drain (cf. collecteur) et la source (cf. émetteur). Pour un JFET à canal de type N, la grille est de type P. En fonctionnement normal la tension entre le drain et la source est positive (VDS > 0) et celle entre la grille et la source (jonction PN) est négative (VGS < 0). L'augmentation

inverse. La deuxième zone P est le collecteur (voir Fig. 2.). 45 TRANSISTOR BIPOLAIRE Fig. 2. Schéma de principe d'un transistor. Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se recombiner avec les électrons de la base pour deux raisons : la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu nombreux. la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner