Complementary metal oxide semi-conductor

de séparer en trois images couleurs primaires rouge, verte et bleue et de les diriger vers leurs capteurs respectifs. optique ou dichroïque (séparation SEPARATEUR OPTIQUE 26 Ce séparateur optique est constitué de miroirs réfléchissants semi-transparents, de miroirs dichroïques et de filtres colorés. Il est caractérisé par un faible taux d’absorption et une transmission de la lumière de type passe-bande. SEPARATION OPTIQUE DES SIGNAUX PRIMAIRES T(%) 100% Bleu Vert Rouge 50%

la matrice fournie une tension continue directement proportionnelle à l’éclairement reçu. Aujourd’hui, il existe deux grandes familles de capteurs : les CCD (Charge-Couple Device) et les CMOS (Complementary metal oxide semi-conductor). Ces deux types intègrent une couche de silicium (composant semi-conducteur) qui véhicule l’électricité. Le silicium est capable d’absorber les longueurs d’onde de l’infrarouge jusqu’à la limite du visible. La base du fonctionnement de ces capteurs est l’effet photo-électrique

logiques les plus utilisées aujourd’hui en technologie TTL sont les familles LS et ALS. • Les jonctions d’un transistor schottky sont réalisées à partir d’un semi-conducteur de type N ou P et d’un métal ; la conséquence est qu’un transistor schottky est bien plus rapide qu’un transistor bipolaire classique, du fait de la jonction Métal / Semi-conducteur. • Parmi les 7 familles de la technologie TTL, 3 sont réalisées avec des transistors bipolaire classiques, et 4 avec des transistors shottky :

bipolaires ( TTL pour Transistors Transistor Logic). Les circuits TTL ont été déclinés en plusieurs sous familles, la série la plus répandue est la « Low Power Schottky », apparue en 1971, réalisée à partir de composants schottky (jonction semiconducteur métal, intéressantes pour leur rapidité), et de référence 74 LS XX (le XX représentant la fonction du circuit ; exemple 74LS00 est un circuit à 4 portes NAND). Comme tout les circuits TTL, cette série s’alimente en 5 V à +/-5% (+/-10% pour les séries militaires

Aucun bip au démarrage Mauvais contact carte mère/processeur RAM non détectée (possiblement endommagée) 1 bip court répéter Erreur de rafraîchissement de la RAM Solutions : Réinstallez les barrettes de mémoire. Si le problème persiste, changez les barrettes de RAM 2 bips courts Erreur de parité dans les 64 premiers Ko de la mémoire 3 bips courts Erreur mémoire dans les 64 premiers Ko de la mémoire 4 bips courts Echec mémoire dans les premiers 64Ko ou échec Time Carte-mère défectueuse

Calcul des courants dans les transistors en Technologie CMOS NMOS Tension de seuil : VTn = VTn0 + γ n PMOS ) Tension de seuil : VTp = VTp 0 − γ p ( 2φf + V SB − 2φf ≈ 1V ( 2φ f + V BS − 2φf ≈ −1V ) ▪ Régime bloqué : Si VGS ≤ VTn IDn = 0 ▪ Régime bloqué : Si VGS ≥ VTp IDp = 0 ▪ Régime ohmique : Si VGS > VTn et VDS ≤ VGS - VTn W  V   IDn =  n  µn.Cox  VGS − VTn − DS  VDS L  2    n  ▪ Régime ohmique : Si VGS < VTp et VSD ≤ VSG - │VTp│  Wp  V

 Une feuille de travail sur laquelle seront dessinées (en vue de dessus) les structures micro-électroniques ; Microwind fournit des fichiers décrivant les règles de conception des procédés énumérés a la table suivante : Procédé Année Couches de métal 2 2 3 5 6 6 6-8 6-10 6-12 (V) 5.0 5.0 3.3 3.3 2.5 1.8 1.2 1.0 0.8 Oxyde de Taille du Plots grille dé(mm) d’entrée (nm) /sortie 25 20 12 7 5 3 2 1.8 1.6 5x5 7x7 10x10 15x15 17x17 20x20 22x20 25x20 25x20 250 350 600 800 1000 1500 1800 2000 3000

et un élément plus petit "R". Pour chaque pixel, l’un de ces éléments est dédié aux hautes lumières et le second aux basses lumières, ce qui améliore la subtilité dans les tons. Les capteurs CMOSLe capteur photographique CMOS (Complementary metal oxide semi-conductor) a été inventé dans les années 1980. Longtemps considéré comme qualitativement inférieur au capteur CDD, le CMOS a gagné en popularité au point que Canon a choisi cette technologie pour équiper son matériel haut de gamme reflex. Les

photocapteur sera notamment utilisé dans des modèles professionnels Kodak, de la série DCS, qui lancent la photographie numérique à partie de 1991. Le CCD est désormais une technologie vieillissante, dont le successeur, le CMOS-APS (Complementary metal oxide semi-conductor Active pixel sensor), mis au point par Robert Fossum en 1993, a été popularisé par son application aux caméraphones. Plus petit, moins cher, moins gourmand en énergie, cette technologie s’est imposée depuis le début des années 2000

(imagerie astronomique) puis popularisé sur les caméras et appareils photo. Un capteur CCD. Capteur photographique Principe Un CCD transforme les photons lumineux qu'il reçoit en paires électron-trou par effet photoélectrique dans le substrat semi-conducteur, puis collecte les électrons dans le puits de potentiel maintenu à chaque photosite. Le nombre d'électrons collectés est proportionnel à la quantité de lumière reçue. À la fin de l'exposition, les charges sont transférées de photosite en