Arséniure de gallium

de cuivre (Azurite, Cu3(CO3)2(OH)2, Malachite Cu2CO3(OH)2, cuivres gris (sulfoarseniures et antimoniures de cuivre) et barytine. Gîtes hydrothermaux filoniens liés aux bassins sédimentaires Filons de quartz à carbonates de cuivre et sulfo-arseniures et antimoniures de cuivre Cabrières (Hérault) Gîtes Minéraux de précipitation sédimentaire Gîtes minéraux de précipitation sédimentaire Processus de formation: générés par précipitation chimique directe d’éléments à partir d’eau de mer

avancées en nanoscience vont se multiplier dans ces trois domaines : instrumentation, nano-objets et propriétés. Par ailleurs, les développements technologiques issus de la microélectronique permettent la gravure des matériaux massifs (silicium, arseniure de Gallium,…) à l’échelle micronique, puis submicronique puis nanométrique : c’est la voie dite « Top-down » (du haut [micron] vers le bas [nano]). Exemple : Loi de Moore : diminution par 2, tous les 2 ans depuis 1970 de la taille des dispositifs intervenant

à un ordinateur pour récupérer les données sur LABVIEW. 3.2. L’échantillon La composition de la microcavité utilisée est la suivante : réseau de Bragg formé d’une alternance d’Arséniure de Gallium (GaAs) et d’Arséniure d’Aluminium (AlAs). Le puits quantique est une fine couche de Gallium Indium Arséniure. La bande stop de cette microcavité est dans la gamme de longueur d’onde du Tekhnoscan (850 nm – 950 nm), ce qui est essentiel pour observer des polaritons. Le graph ci-dessous montre la réflectivité

cellules photovoltaïques étaient essentiellement inorganiques : aujourd’hui encore le matériau le plus couramment utilise reste le silicium, malgré la concurrence toujours plus rude des tellurures de cadmium, des chalcogénures et autres Arséniure de Gallium. Cependant des le début des années 80, un nouveau type de matériau voit le jour : l’effet photovoltaïque peut en effet être obtenu a partir de molécules organiques. Ces nouveaux matériaux portent de grands espoirs : ils sont peu onéreux

premier niveau vide. À droite, variation théorique du gap calculé à partir de l’équation pour des nanocristaux de différents semi-conducteurs : oxyde de zinc ZnO, séléniure de zinc ZnSe, sulfure de cadmium CdS, séléniure de cadmium CdSe et arséniure de gallium GaAs. par des voies de chimie douce, soit par pyrolyse laser. Ces techniques sont utilisées respectivement au Département de recherche fondamentale sur la matière condensée (DRFMC) au CEA/Grenoble et au Département de recherche sur l’état

Exprimer la conductivité 3. Montrer que σ présente un extremum type est alors le semi-conducteur pour σe en fonction de n 4. Examiner le cas particulier de l’arséniure de gallium pour lequel, à la température ambiante α=1/20, ni =2.3*10 5. Déterminer la valeur σ que µni~ µn. Vérifier ce résultat dans le cas de l’arséniure de gallium. Commenter. Exercice 13 On considère une plaque rectangulaire d’épaisseur h, et de largeur b, représentée sur la figure suivante. Elle est réalisée dans un semi des électrons

381 382 384 385 386 O TRANSISTORS À BASE D’ARSÉNIURE DE GALLIUM. APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES 387 1 • Introduction 387 2 • Lignes de transmission et matrice de distribution 2.1 Lignes de transmission. Propriétés principales 2.2 Lignes de transmission. Facteurs de réflexion 2.3 Matrice de répartition 2.4 Gain en puissance du quadripôle actif 2.5 Stabilité 387 387 390 391 392 394 3 • Transistors à arséniure de gallium 3.1 MESFET. Structure succincte 3.2 MESFET. Caractéristiques

V F : Pour émetteur ou récepteur H : Diode ; sensible aux champs B : Silicium ou magnétiques de fibre optique après la 2em tension de seuil L : Transistor ; puissance, 1à 1,3 V lettre G, P ou Q haute fréquence L : Pour laser C : Arséniure de gallium ou N : Photo coupleur O : Opto-triac après la 2em tension de seuil P : Photorécepteur ; 3em lettre lettre R 1,3 V et plus Q : Photoémetteur ; 3em lettre T : Pour LED 3 couleurs après R : Matériaux la 2em lettre Q R : Triac ou Thyristor

suivit de la référence du constructeur. Voici un tableau récapitulatif : 1er Lettre Matériaux 2em Lettre Fonction 3em Lettre ou N° de série A : Germanium ou tension de seuil 0,6 à 1 V B : Silicium ou tension de seuil 1à 1,3 V C : Arséniure de gallium ou tension de seuil 1,3 V et plus R : Matériaux composés (ex: Sulfure de cadmium) A : Diode ; signal, faible puissance B : Diode ; vari cap C : Transistor ; faible puissance, fréquence audio D : Transistor ; puissance, fréquence

(quantum). Les atomes sont classés dans un tableau universel connu sous le nom de tableau de classification périodique. Extrait du tableau de classification périodique des éléments III 5 B (Bore) 13 Al (Aluminium) 30 Zn (Zinc) 48 Cd (Cadmium) 31 Ga (Gallium) 49 In (Indium) IV 6 C (Carbone) 14 Si (Silicium) 32 Ge (Germanium) 50 Sn (Étain) V 7 N (Azote) 15 P (Phosphore) 33 As (Arsenic) 51 Sb (Antimoine) 16 S (Soufre) 34 Se (Sélénium) © Dunod – La photocopie non autorisée est un délit T U V W X Y