Arséniure de gallium

(quantum). Les atomes sont classés dans un tableau universel connu sous le nom de tableau de classification périodique. Extrait du tableau de classification périodique des éléments III 5 B (Bore) 13 Al (Aluminium) 30 Zn (Zinc) 48 Cd (Cadmium) 31 Ga (Gallium) 49 In (Indium) IV 6 C (Carbone) 14 Si (Silicium) 32 Ge (Germanium) 50 Sn (Étain) V 7 N (Azote) 15 P (Phosphore) 33 As (Arsenic) 51 Sb (Antimoine) 16 S (Soufre) 34 Se (Sélénium) U V W X Y Z 22 Audiofréquences Niveaux d’énergie d’un atome

une autre. Plusieurs modèles ont étés développés. L O P Q R S IV V 5 B (Bore) 6 C (Carbone) 7 N (Azote) 13 Al (Aluminium) 14 Si (Silicium) 15 P (Phosphore) 16 S (Soufre) 30 Zn (Zinc) 31 Ga (Gallium) 32 Ge (Germanium) 33 As (Arsenic) 34 Se (Sélénium) X 48 Cd (Cadmium) 49 In (Indium) 50 Sn (Étain) 51 Sb (Antimoine) V III W U Y © Dunod – La photocopie non autorisée est un délit C VS −

nomenclature On dispose de règles précises pour nommer les composés chimiques. Pour nommer un composé qui comporte un métal et un non-métal, on forme un nom en -ure sur le nom du non-métal, et on nomme ensuite le métal: Exemples Arsenic Arséniure GaAs = arséniure de gallium Fluor Fluorure CaF2 = fluorure de calcium Chlore Chlorure NaCl = chlorure de sodium Dans plusieurs cas, les composés diffèrent uniquement par le nombre d'atomes de non-métaux. On est alors amener à préciser ce nombre à l'aide

base est dans la plupart des cas le silicium. Selon conducteurs. le procédé de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, sous forme amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .d’autres matériaux sont utilisables : Arséniure de Gallium (AsGa), Tellurure de Cadium (CdTe (CdTe). II.4.1-Les principaux types de cellule : Les II.4.1.1-Cellule en silicium amorphe : Cellule Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projeté sur une feuille de verre. La cellule

fabrication des photogénérateurs : le CuInSe2 (en abrégé CIS et son dérivé le CIGS), le CdTe (tellurure de cadmium) et le GaAs (arséniure de gallium). REMARQUE Les données ci-dessous sont des valeurs typiques, qui varient d’un constructeur à l’autre, et sont susceptibles d’évoluer : on vérifiera donc ces paramètres auprès des revendeurs ou des fabricants. Arséniure de gallium (GaAs) Ce matériau à très haut rendement est un cas à part : très onéreux du fait des éléments utilisés, il n’est employé

caractéristiques quantiques nécessaires pour l’élaboration d’un ordinateur quantique. On appelle parfois de tels systèmes des atomes artificiels. Cette technique utilise des matériaux courants dans l’industrie des semi-conducteurs : silicium ou arséniure de gallium. Elle se subdivise en deux branches : l’une exploitant la charge électrique des qubits, l’autre leur spin (voir l’article spintronique). • beaucoup d’autres projets plus ou moins avancés. Plusieurs projets semblent susceptibles d'exploitation

égale un détecteur photovoltaïque sera beaucoup plus rapide qu’un détecteur photoconducteur (1 Ghz pour HgCdTe photovoltaïque). L’effet photovoltaïque est utilisé dans les photodiodes, les phototransistors et les détecteurs IR tels que : — InAs (arséniure d’indium) ; — InSb (antimoniure d’indium) (figure 38) ; — HgCdTe (tellurure de cadmium-mercure). Les détecteurs photovoltaïques parfaits ont une limite de bruit inférieure à celle des photoconducteurs, en raison de l’absence de bruit de recombinaison

aussi 6.1 Articles connexes 6.2 Liens externes Agents et groupes d'agents Nom CAS EINECS Amiante 1332-21-4 Amino-4 biphényle (Amino-4-diphényle) 92-67-1 2 de l’ère commune Arsenic et ses composés1 7440-38-2 2 de l’ère commune Arséniure de gallium 1303-00-0 2 de l’ère commune Azathioprine 446-86-6 2 de l’ère commune Benzène 71-43-2 2 de l’ère commune Benzidine 92-87-5 2 de l’ère commune Benzo[a]pyrène (Benzopyrène) 50-32-8 2 de l’ère commune Béryllium et ses composés2

diode). Ce sont des composants qui émettent de la lumière quand un courant les parcourt. Ils sont utilisés comme voyants lumineux. Ces diodes ne sont pas constituées de silicium, mais d’autres matériaux semi-conducteurs, composés de l’arséniure de gallium. De ce fait, la tension présente à leurs bornes lorsqu’elles sont conductrices n’est pas 0,6 V ; elle vaut de 1,6 V à 2,5 V suivant la couleur de la lumière émise. La chute de tension est d’autant plus élevée que la longueur d’onde est faible. On

tout, comme son nom l’indique, une diode. Alors que les diodes bien connues des électroniciens sont fabriquées avec du silicium, les LED sont à base de semi-conducteurs moins connus, à savoir du nitrure de gallium (GaN) pour les LED vertes et bleues ou du phosphure (GaP) ou arséniure de gallium (GaAs) pour les LED ambre ou rouges. Les LED fonctionnent grâce à des tensions de quelques volts et émettent de la lumière lorsqu’elles sont polarisées en direct, c'est-à-dire lorsque le courant circule dans