Gallium

tables de conversion de rendement photovoltaïque pour tous les matériaux semi-conducteurs. Puis, c’est au début des années 70 que l’on a pu obtenir en laboratoire un rendement de 20 % en travaillant sur des cellules de monocristal d’arsenic de gallium (GaAs). Le rendement est sensiblement inférieur lorsque ces cellules se font à l’échelle industrielle [3]. Aussi, des expériences ont été faites avec des cellules composées de deux couches : une de sulfure de cadmium (SCd) et une autre de sulfure

qui ne subit pas de transformation chimique. • Le cobalt (Co) : de l’allemand Kobold (lutin) ; la production malaisée de ce métal était attribuée aux mauvais esprits qui, disait-on, sabotaient le travail des mineurs en ensorcelant le minerai. • Le gallium (Ga) : du latin gallus, coq, en l’honneur de son découvreur Lecoq de Boisbaudran. • Le polonium (Po) : en l’honneur de la Pologne, patrie de Marie Curie, qui découvrit cet élément. • Le titane (Ti) : ce métal particulièrement résistant doit son nom

ferro-alliages de Ouro Preto. Canada Prise de participation dans Haley Industries Limited. Produits Alcan Canada Limitée ferme ses installations d’extrusion de Kingston, Ontario. Hong Kong 1985 Suisse Acquisition des installations d’affinage du gallium d’Alusuisse Groupe Ltée. Fermeture du bureau régional d’administration de Alcan Asia Limited et transfert des activités à Alcan Pacific Limited à Vancouver. 1985 Canada Création d’Entreprises Alcan (Canada), en vue de gérer les activités d’Alcan

System Basse Fréquence Basse Tension Convertisseur Analogique Numérique Constant Current Compatibilité Electro-Magnétique Cascaded H-Bridge Constant Voltage Direct Current Efficient Power Conversion Flying Capacitor Field Programmable Gate Array Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Heterostructure Field Effect transistors Haute Fréquence Insulated Gate Bipolar Transistor Lithium Fer Phosphate Level-Shift PWM Modulation de Largeur d’Impulsion Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

jonction la recombinaison des charges libres forme une barrière de potentiel, équivalente à une barrière de potentiel de: - Vs = 0,6V pour le silicium, 2 Electronique de puissance 2005 / 2006 - Vs = 0,2V pour le germanium, - Vs = 1,2V pour le gallium. I I VD Vc Vs VD Lorsque la diode est polarisée en inverse, elle est bloquée. Elle se comporte alors comme une capacité Ct: capacité de transition. Une tension VD négative inférieure à Vc, la tension de claquage, détruit la diode. Lorsqu'elle

à leur structure scintillante. Leur rendement est de 11% à une température de cellule 25°C (18% en laboratoire). Etude réalisée par PERIFEM et CEDRE. Intégration des EnR pour le commerce et la distribution. Page 14/49 PERIFEM cellules au Gallium Arsenide (GaAs). Ce composé est fait pour des cellules PV à très haut rendement (25 à 28%). Il est souvent utilisé à des fins spatiales ou pour les systèmes à concentrateurs. Le procédé de multi-jonction III-V du GaAs permet de dépasser une efficacité

Reference Databook, Van Nostrand Reinhold, vol 1, p 133 Priest N.D., Newton D. and Talbot R.J. (1991) - Metabolism of aluminum-26 and gallium-67 in a volunteer following their injections as citrates. AEA Technology. Harwell, Oxfordshire. Report No. AEA-EE-0106. Priest N.D., Newton D., Day J.P., Talbot R.J. and Warner A.J. (1995) - Human metabolism of aluminum-26 and gallium-67 injected as citrates. Hum Exp Toxicol, 14, 3, 287-293. Priest N., Newton D. and Talbot R. (1996) Studies on the metabolism of

catalyst capable of simultaneously producing styrene and ethylene. The dehydrogenation reactor effluent is cooled and separated and the ethylene stream is recycled to the alkylation unit. The catalyst suitable for this type of reaction is composed of gallium, platinum and potassium on alumina modified with silica. The process attempts to overcome previous shortcomings in the development of processes employing ethane to produce styrene. These include inefficient recovery of aromatics, production of high

silicium Si utilisé majoritairement, le germanium Ge, l’arséniure de gallium AsGa. En plaçant ces différents éléments dans la table des éléments chimiques (cf. figure ci-dessous), on constate que ces éléments sont proches. Ces semi-conducteurs sont formés d’éléments ayant 4 électrons de valence sur la dernière couche comme le silicium ou le germanium ou d’un mélange d’éléments ayant 3 et 5 électrons de valence comme le gallium et l’arsenic. Une partie de la table des éléments 4.1.1 Semi-conducteur

Christian : Na2SO4 ; Paul : Ga2(SO4)3. Selon les manuels de référence, le sulfate de sodium est un cristal blanc de forme orthorhombique, alors que le sulfate de gallium est une poudre blanche. Le sulfate de titane se présente sous forme de poudre verte, mais sa formule est Ti2(SO4)3. Comme il a la même formule que le sulfate de gallium, sa masse molaire calculée devrait se situer autour de 443 g/mol. Cependant, la masse molaire de Ti2(SO4)3 est 383,97 g/mol. Il est donc peu plausible que le sel