Nitrure de gallium

(quantum). Les atomes sont classés dans un tableau universel connu sous le nom de tableau de classification périodique. Extrait du tableau de classification périodique des éléments III 5 B (Bore) 13 Al (Aluminium) 30 Zn (Zinc) 48 Cd (Cadmium) 31 Ga (Gallium) 49 In (Indium) IV 6 C (Carbone) 14 Si (Silicium) 32 Ge (Germanium) 50 Sn (Étain) V 7 N (Azote) 15 P (Phosphore) 33 As (Arsenic) 51 Sb (Antimoine) 16 S (Soufre) 34 Se (Sélénium) © Dunod – La photocopie non autorisée est un délit T U V W X Y

cours de développement. On peut citer la fusion dans un faisceau électronique, le lessivage après réduction aluminothermique, l’électro-transport dans un champ magnétique, la voie électrochimique… et quelques initiatives comme la dissociation de nitrure de silicium dans un four solaire ou l’utilisation de paille de riz comme source de silice. Donc ce silicium solaire (SoG-Si), ou silicium polycristallin (poly-Si) est obtenu par la purification du silicium métallurgique et servira à la confection

381 382 384 385 386 O TRANSISTORS À BASE D’ARSÉNIURE DE GALLIUM. APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES 387 1 • Introduction 387 2 • Lignes de transmission et matrice de distribution 2.1 Lignes de transmission. Propriétés principales 2.2 Lignes de transmission. Facteurs de réflexion 2.3 Matrice de répartition 2.4 Gain en puissance du quadripôle actif 2.5 Stabilité 387 387 390 391 392 394 3 • Transistors à arséniure de gallium 3.1 MESFET. Structure succincte 3.2 MESFET. Caractéristiques

79,91 35 70 Cl F Fluor 19,00 Chlore 35,45 17 9 VII A 2 VIII A (ou 0) Berkélium Californium Einstenium Fermium Mendélévium Nobélium Lawrencium 247 249 254 253 256 254 257 97 15 7 Silicium Phosphore 28,09 30,97 14 Carbone 12,01 6 Gallium Germanium Arsenic 69,72 72,59 74,92 31 Aluminium 26,98 13 5 IV A Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium 140,1 140,9 144,2 147 150,35 151,9 157,2 158,9 162,5 164,9 Ce Tantale 180,95 73

System Basse Fréquence Basse Tension Convertisseur Analogique Numérique Constant Current Compatibilité Electro-Magnétique Cascaded H-Bridge Constant Voltage Direct Current Efficient Power Conversion Flying Capacitor Field Programmable Gate Array Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Heterostructure Field Effect transistors Haute Fréquence Insulated Gate Bipolar Transistor Lithium Fer Phosphate Level-Shift PWM Modulation de Largeur d’Impulsion Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

AUTOMOBILE CONCEVOIR DES VÉHICULES PLUS PROPRES Des solutions plus respectueuses de l’environnement DANS LE DOMAINE DE L’ÉCLAIRAGE ET DU CHAUFFAGE DES BÂTIMENTS Une lumière plus économe Saint-Gobain fournit des substrats de saphir et de nitrure de gallium pour les diodes électroluminescentes (LED). Les LED sont appelées à remplacer à terme les lampes à incandescence : elles consomment déjà 5 fois moins d’énergie que celles-ci, ont une durée de vie 100 fois supérieure et peuvent offrir un spectre

l'aluminium, du fer, du cuivre et de la silice peuvent Štre pr€sents ‚ des concentrations pouvant atteindre 1 %. Les autres impuret€s dont la pr€sence est possible sont le silicium, le titane, le vanadium, les carbures d'aluminium et de fer, les nitrures d'aluminium et de fer (HSDB 2003). Dans le chlorure d'aluminium, les teneurs en chlorure ferrique, en chlorure de silicium et en chlorure de sodium sont respectivement de l'ordre de 0,08 %, 0,02 % et 0,02 % (HSDB, 2003). Dans le sulfate d'aluminium

atteindre un rendement de 50% d'ici à 2015, contribuant ainsi à réduire ses coûts de 62%. Le fonctionnement des panneaux photovoltaïques de concentration (CPV) est basé sur les cellules solaires en semi-conducteurs composés comme l'arséniure(Ar) de gallium(Ga), en utilisant le rayonnement solaire avec une efficacité de 40%, soit le double des cellules solaires conventionnelles. Dans ce papier, nous décrivons l‘implantation de la première installation photovoltaïque à haute concentration connectée au

avant tout, comme son nom l’indique, une diode. Alors que les diodes bien connues des électroniciens sont fabriquées avec du silicium, les LED sont à base de semi-conducteurs moins connus, à savoir du nitrure de gallium (GaN) pour les LED vertes et bleues ou du phosphure (GaP) ou arséniure de gallium (GaAs) pour les LED ambre ou rouges. Les LED fonctionnent grâce à des tensions de quelques volts et émettent de la lumière lorsqu’elles sont polarisées en direct, c'est-à-dire lorsque le courant circule

nm. hc b. Comme l’énergie d’un photon E = hf = λ coïncide avec le produit Ue, il vient : hc 2,64 V. eλ 3. a. Le spectre des luminophores coïncide avec celui de la DEL blanche (document  3) duquel on soustrait le pic correspondant à la DEL au nitrure de gallium. b. La lumière jaune émise par la couche de luminophores et la lumière bleue émise par la DEL s’additionnent pour donner de la lumière blanche, car ces deux couleurs sont complémentaires. U= 4. Quel que soit le choix de la technologie, la LED