Programmable Read Only Memory

(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) consomment beaucoup d’énergie durant les opérations d’écriture et le nombre de leurs réécritures est limité typiquement entre 100’000 et 1’000’000 fois. Les FRAMs (Ferromagnetic Random Access Memory) consomment 100 fois moins d’énergie que les EEPROMs, et le temps d’écriture est 1000 fois plus bref. Pour l’instant des problèmes de fabrication ont retardé la diffusion des FRAMs sur le marché. Les SRAMs (Static Random Access Memory), particulièrement

(comme par exemple le nombre de pistes, de secteurs de chaque disque dur) sont conservées dans le CMOS. Dans la mesure où le CMOS est une mémoire lente, certains systèmes recopient parfois le contenu du CMOS dans la RAM (mémoire rapide), le terme de « memory shadow » est employé pour décrire ce processus de copie en mémoire vive. Le CMOS est beaucoup moins rapide, mais consomme infiniment moins d'énergie, d'où son emploi dans les horloges d'ordinateurs, qui sont alimentées par des piles. Lorsque

N° 23 SECTEUR UTILISATION DE L’AUTOMATE PROGRAMMABLE : ELECTROTECHNIQUE SPECIALITE : EMI NIVEAU : TECHNICIEN ANNEE 2007 Résumé de Théorie et Guide de travaux pratiques Module 23 : UTILISATION DE L’AUTOMATE PROGRAMMABLE Document élaboré par : Nom et prénom Mme ELKORNO NAIMA EFP DR CDC - GE Révision linguistique Validation - OFPPT/DRIF/CDC_GE 1 Résumé de Théorie et Guide de travaux pratiques Module 23 : UTILISATION DE L’AUTOMATE PROGRAMMABLE SOMMAIRE RESUME THEORIQUE ............

processeur produit de la chaleur, il est surmonté d’un dissipateur thermique pour réguler la température pour que les circuits ne fondent pas. La mémoire Partie qui sera développé plus en détail par Stéphane - Une mémoire morte ou ROM (Read Only Memory) : La mémoire morte se présente sous la forme d’une puce de silicium soudée directement sur la carte-mère. La mémoire ROM est dite morte car on ne peut la modifier; on ne peut que lire les instructions qui y sont contenues. Elle contient généralement

                                           2- Les génération des ordinateurs2.1 Première génération (1936-1956) : Lampes, relais, tubes à vide. « Salle entière »1937 : Alan Mathison Turing présente sa machine de Turing, le premier calculateur universel programmable, et invente les concepts de programmation et de programme.en 1945 à l'université de Pennsylvanie, l'ENIAC (Electronic Numerator Integrator and Computer) a été inventé1948 : Apparition des premières machines à architecture de Von NeumannEn avril

contient les instructions du ou des programmes en cours d’exécution et les données associées à ce programme. Physiquement, elle se décompose souvent en : – – une mémoire morte ( ROM = Read Only Memory ) chargée de stocker le programme. C’est une mémoire à lecture seule. une mémoire vive ( RAM = Random Access Memory ) chargée de stocker les données intermédiaires ou les résultats de calculs. On peut lire ou écrire des données dedans, ces données sont perdues à la mise hors tension. Remarque : Les

Les signaux de commande sont des signaux électriques permettant d'orchestrer les différentes unités du processeur participant à l'exécution d'une instruction. Les signaux de commandes sont distribués grâce à un élément appelé séquenceur. Le signal Read / Write, en français lecture / écriture, permet par exemple de signaler à la mémoire que le processeur désire lire ou écrire une information. 7- Unités fonctionnelles Le processeur est constitué d'un ensemble d'unités fonctionnelles reliées entre

* La touche SUPPR * La touche HOME * La touche END * La touche page suivante (PgDn) * La touche page précédente (PgUp) 5- Pavé de touches de fonction Il contient 12 touches portant les inscriptions F1- F12. Ces touches sont programmables et leurs fonctions dépendent du type de produit utilisé. Exemple : Sous MSDOS * F1 permet de récupérer un caractère de la ligne précédente * F3 récupère la ligne de la commande précédente Sous Word : * F1 active le gestionnaire d’aide

(comme par exemple le nombre de pistes, de secteurs de chaque disque dur) sont conservées dans le CMOS. Dans la mesure où le CMOS est une mémoire lente, certains systèmes recopient parfois le contenu du CMOS dans la RAM (mémoire rapide), le terme de « memory shadow » est employé pour décrire ce processus de copie en mémoire vive. Le « complémentary metal-oxyde semiconductor », est une technologie de fabrication de transistors, précédée de bien d'autres, telles que la TTL (« Transistor-transistor-logique »)

(comme par exemple le nombre de pistes, de secteurs de chaque disque dur) sont conservées dans le CMOS. Dans la mesure où le CMOS est une mémoire lente, certains systèmes recopient parfois le contenu du CMOS dans la RAM (mémoire rapide), le terme de « memory shadow » est employé pour décrire ce processus de copie en mémoire vive. Le « complémentary metal-oxyde semiconductor », est une technologie de fabrication de transistors, précédée de bien d'autres, telles que la TTL (« Transistor-transistor-logique »)