Silicium sur isolant

6A reverse : 6AR BC817-25 normal : 6B reverse : 6BR BC817-40 normal : 6C reverse : 6CR 2N2222 normal : P1 Transistor usage général PNP BC807-16 normal : 5A reverse : 5AR BC807-25 normal : 5B reverse : 5BR BC807-40 normal : 5C reverse : 5CR Diodes silicium BAS16 ( genre 1N4148 ) A6 BAV70 ( double 1N4148 ) A4 BAT54 ( Schottky id. BAT85 ) L4 LAMPE LOUPE OULUX510 INDISPENSABLE ! D’autant qu’il n’y a aucune honte à utiliser la loupe. CMSBDED.qxd 16/10/02 14:37 Page 3 2 Les procédés

coefficient g désigne la conductivité du milieu, qui s’exprime en S . m–1 (S désigne le siemens, ou ohm–1). Le domaine de variation de la conductivité du milieu est extrêmement étendu, allant des isolants et conducteurs médiocres aux très bons conducteurs (doc. 15). conductivité (S . m–1 ) nature du milieu 10 –8 isolant 6 · 10–6 conducteur médiocre électrolytes 10 –2 la conductivité dépend de la concentration Hg 106 Al 3,7 . 107 Au 4,6 . 107 Cu 5,9 . 107 Hg 6,2 . 107 milieu paraffine terreau

Conditions de passage à l’interface entre deux distributions de charges différentes 3.7. Exemples d’application 3.8. Récapitulation Exercices Corrigés 4 CONDUCTEURS EN ÉQUILIBRE 4.1. Loi de conservation de la charge 4.2. Corps conducteurs et corps isolants 4.3 Équilibre électrostatique : théorème de Coulomb 4.4. Pression électrostatique 4.5. Influence de deux conducteurs chargés. Théorème de Faraday 4.8. Capacité d’un condensateur 4.9. Association de condensateurs 4.10. Méthodes de résolution Exercices

particulier les métaux (aluminium, cuivre...) sont de très bons conducteurs parce qu’ils possèdent des électrons qui peuvent se libérer de l’attraction du noyau de l’atome pour participer à la conduction électrique. Dans d’autres matériaux appelés isolants, les charges électriques ne peuvent pas circuler. L’étude du mouvement de ces charges électriques et des phénomènes qui s’y rattachent est l’électrocinétique. En réalité, la mise en mouvement des charges dans un conducteur n’est pas instantanée.

la fonction désirée) elles ne sont plus prioritaires. Ce qui compte le plus, c’est l’efficacité du code au sens du synthétiseur. En effet, pour que ce dernier produise la description structurelle la plus économique possible (et donc la surface de silicium la plus petite possible). [COM11] 23 Chapitre I : Les circuits logiques programmables et le VHDL. 2.3 Exemples de langages de description matérielle HDL : Il existe un bon nombre de langages HDL, malgré leurs diversités, ils répondent

particulier les métaux (aluminium, cuivre...) sont de très bons conducteurs parce qu’ils possèdent des électrons qui peuvent se libérer de l’attraction du noyau de l’atome pour participer à la conduction électrique. Dans d’autres matériaux appelés isolants, les charges électriques ne peuvent pas circuler. L’étude du mouvement de ces charges électriques et des phénomènes qui s’y rattachent est l’électrocinétique. En réalité, la mise en mouvement des charges dans un conducteur n’est pas instantanée

est essentiellement composé d’un alliage de fer et de nickel (comprenant cinq à six pour cent de nickel), auquel s’ajoutent environ cinq à dix pour cent d’éléments plus légers. La nature de ces derniers est encore débattue, même si le soufre, le silicium et l’oxygène semblent les candidats les plus sérieux. Cette information ouvrirait une fenêtre sur l’histoire du noyau. En effet, pour y être présents, les éléments légers doivent avoir une certaine affinité avec le fer. Or celle-ci varie en fonction

connaissance du verre par l’homme remonte à plus de 7 000 ans, l’usage utilitaire du verre est beaucoup plus récent et paraît avoir été initié en Égypte au XVe siècle avant notre ère. Parfaitement étanche, dur, résistant à la plupart des agents chimiques, isolant, malléable à l’infini lorsqu’il est à l’état liquide, le verre est un matériau qui résiste aux très basses températures comme aux plus élevées (il ne fond qu’à 1 000 °C). D’abord réservé exclusivement à la fabrication des contenants, il a vu au cours

Tac tac τ Vgs vgs Vds Vth Courant drain-source d’un transistor MOS dans le domaine petit signal µCox W/L Constante de Boltzmann Facteur de modulation du courant pour une mémoire de courant Mémoire de courant Mega Sample, Million d’échantillons Poly-silicium Charges totales stockées dans le canal d’un transistor MOS Charges injectées Switched Capacitor (voltage structure) Switched Current (intensity structure) Transistor de la CMC au travers duquel s’effectue la mémorisation Transistor cascode de la CMC

Manganèse Mn 7 200 Température de fusion : 1 245 °C Molybdène Mo 10200 Température de fusion : 2 610 °C Nickel Ni 8 900 Température de fusion : 1 453 °C Matériau coûteux ; ferromagnétique Plomb Pb 11300 Température de fusion : 327,4 °C Silicium Si 2 400 Température de fusion : 1 410 °C Masse volumique faible Tantale Ta 16600 Température de fusion : 2 996 °C Titane Ti 4 500 Température de fusion : 1 668 °C Masse volumique faible 6.2 • Associations de fer et de carbone Tableau