Transistor bipolaire à grille isolée

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

Travail DIRECTION RECHERCHE ET INGENIERIE DE FORMATION RESUME THEORIQUE & GUIDE DE TRAVAUX PRATIQUES MODULE N°:10 ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS SECTEUR : ELECTROTECHNIQUE SPECIALITE : ÉLECTROMECANIQUE DES SYSTEMES AUTOMATISES NIVEAU : TECHNICIEN SPECIALISE 1 Résumé Théorique et Guide de travaux pratiques MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS Document élaboré par : Nom et prénom SKLINIARZ BRONISLAV EFP CDC Electrotechnique DR DRGC Révision linguistique

6. Théorèmes généraux Quadripôles Semi-Conducteurs. Diode Transistor bipolaire. TEC Amplificateur Opérationnel (AOP) CAN/CNA Projet (Cours + TD + TP Tutorial Circuit Maker + TP simulation) (Cours + TD + TP simulation + Contrôle) (Cours + TD + TP simulation) (Cours + TD + TP simulation + Contrôle) (Cours + TD + TP simulation) (Cours + TD + TP simulation + Contrôle) (Projet + Simulation + Rapport + Soutenance) A venir 5’. Filtrage 5’’. Contre-Réaction. Stabilité. Oscillateurs

dipôle, il faut brancher celui-ci sur un autre dipôle. La classification actif / passif est difficile à faire, car quelle que soit la définition utilisée, on trouve toujours un contre exemple ! Par exemple, un critère énergétique (les actifs peuvent fournir de l'énergie, contrairement aux passifs) élimine les semi-conducteurs de la catégorie des actifs Les définitions proposées ne sont donc pas à prendre comme argent comptant. Elles donnent une tendance qui sera entachée d'exceptions ! Nous allons

AIDE-MÉMOIRE ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE 2e édition Jean-Marc Poitevin AIDE-MÉMOIRE ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE AIDE-MÉMOIRE ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMÉRIQUE Jean-Marc Poitevin Maître de conférences à l’université de Nantes 2e édition Illustration de couverture : INMAGINE © Dunod, Paris, 2008 © Dunod, Paris, 2002, pour la précédente édition ISBN 978-2-10-053957-4 Table des matières CHAPITRE 1 • SIGNAUX NON ALÉATOIRES 1 1

(ik ) vk ik vk = 0 ik ≠ 0 ou vk ≠ 0 ik = 0 Convertisseurs Statiques Définitions Interrupteurs Séquence convenable Source d’entrée Source de sortie Systèmes électriques de caractéristiques ≠ Montage utilisant des interrupteurs à semi-conducteurs permettant par une commande convenable de ces derniers de régler un transfert d’énergie entre une source d’entrée et une source de sortie Convertisseurs Statiques Définitions Source d’entrée Hacheurs Continu V’ Continu V Onduleurs

MODÉLISATION SPICE DES TRANSISTORS FLIMOS DE PUISSANCE Soutenue le 25 Juin devant le jury : Président Rapporteurs A. CAZARRE H. MOREL K. KASSMI J. MILLAN F. MORANCHO M.M. HASSANI Examinateur Directeur de thèse Co-Directeur Rapport LAAS N° AVANT PROPOS Ce travail a été préparé au LAAS du CNRS (Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique) groupe ‘Intégration de Systèmes de Gestion de l’Energie’ (ISGE) à Toulouse. Dans ce cadre

Moteurs électriques industriels, Mayé, 392 p., 2005 • Moteurs électriques pour la robotique, 2e éd., Mayé, 296 p., 2006 • Applications en identification radiofréquence et cartes à puces sans contact, Paret, 424 p., 2003 • Identification et traçabilité en UHF-SHF, Paret, 550 p., AP 2007 • Identification radiofréquence et cartes à puce sans contact - Description, Paret, 336 p., 2001 • Le bus CAN - Applications, Paret, 368 p., 2001 • Réseaux multiplexés pour systèmes embarqués, Paret, 400 p., 2005 •

Caractéristiques technologiques . . . . . . . . . . Bobines à noyau de fer . . . . . . . . . . . . . Bobines à noyau de ferrite . . . . . . . . . . . Bobines à air . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Domaines d’utilisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TABLE CHAPITRE 4 - DIODES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 4.1 . . . . . . . . . . . . . 77 77 77 78 79 80 81 82 83 83 84 84 84 CHAPITRE 5 - TRANSISTORS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 4.2 4.3

devant le jury composé de : M. François COSTA Professeur à l’Université Paris XII – Laboratoire SATIE – ENS de Cachan Président M. Philippe BARRADE Senior Scientist à l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Rapporteur M. Alain BERTHON Professeur à l’Université de Franche-Comté – Laboratoire Femto-ST, Rapporteur M. Sébastien FIETTE Ingénieur au CEA-Grenoble, Laboratoire LITEN, Membre M. Jean-Paul FERRIEUX Professeur à l’Université Joseph Fourier – Grenoble, Laboratoire G2Elab