Irradiation de protons sur des transistors AlGaN/GaN avec différentes couches protectrices.
B.Luo a, F.Ren a,*, K.K. Allums b, B.P. Gila b, A.H. Onstine b,
C.R. Abernathy b, S.J. Pearton b, R.Dwivedi c, T.N. Fogarty c, R.Wilkins c,
R.C. Fitch d, J.K. Gillespie d, T.J. Jenkins d, R.Dettmer d, J.Sewell d, G.D. Via d,
A.Crespo d, A.G. Baca e, R.J. Shul e

a Department of Chemical Engineering, University of Florida, P.O. Box 116005, Gainesville, FL 32611, USA b Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA c Center for Applied Radiation Research, Prairie View A&M University, Prairie View, TX 77446, USA d Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate Wright-Patterson AFB, OH 45433-7322, USA e Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA

Cet article du Solid-State Electronics, publié le 19 Aout 2002, traite d’une étude menée par les universités de Floride, de A&M (Texas) ainsi que les laboratoires Air Force Research et National Sandia.
Ce groupe de chercheurs a effectué plusieurs expériences, sur différents types de transistors, pour une même dose d’irradiation. Cette irradiation de 40 MeV protons, pour une dose de 5x10^9 cm-², correspond à peu près à ce que subit un transistor exposé 10 ans dans l’espace.
Le but de l’étude est d’observer la différence entre les valeurs de Ids (en régime statique et impulsionnel) et de Ig (seulement en régime statique), avant irradiation et après irradiation. 3 expériences ont été faite pour cette étude :
* La première a été effectuée avec un transistor GaN recouvert avec une couche de MgO.
** La seconde a été effectuée avec un transistor GaN recouvert d’une couche de Sc2O3.
*** La troisième a été effectuée avec un transistor AlGaN avec un film de Sc2O3 par-dessus.
On attend 50 h après l’irradiation de ces transistors afin de prendre les mesures nécessaires des courants et tensions.
On obtient les résultats suivants :