Nitrure de gallium

substrats utilisés vont du germanium (série AC, aujourd’hui obsolète), en passant par le silicium, l’arséniure de gallium, le silicium-germanium et plus récemment le carbure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure d'indium. Pour la grande majorité des applications, on utilise le silicium alors que les matériaux plus exotiques tels que l'arséniure de gallium et le nitrure de gallium sont plutôt utilisés pour réaliser les transistors hyperfréquence et micro-onde. Un transistor bipolaire se compose

Utilisation du nitrure de gallium et dopage de type p/n La première LED émettant dans le domaine du visible produisait un rayonnement rouge. Depuis, les avancées technologiques et scientifiques ont étendu le domaine d'émission des LED au bleu et au jaune-vert, dont la luminosité restait néanmoins assez faible. C'est un physicien japonais qui le premier est parvenu à réaliser une LED bleue émettant un rayonnement beaucoup plus intense en la fabriquant avec du nitrure de gallium (GaN). Il est

substrats utilisés vont du germanium (série AC, aujourd’hui obsolète), en passant par le silicium, l’arséniure de gallium, le silicium-germanium et plus récemment le carbure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure d'indium. Pour la grande majorité des applications, on utilise le silicium alors que les matériaux plus exotiques tels que l'arséniure de gallium et le nitrure de gallium sont plutôt utilisés pour réaliser les transistors hyperfréquence et micro-onde. * Un transistor bipolaire

Infrarouge | Gallium-Arsenic (GaAs) | 770 à 1100 nm | 1,6 V | Rougefoncé | Aluminium-Antimoine (AlSb) | 775 nm | 1,6 à 2,0 V | Rougeclair | Arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) | 610 (ou 625) à 660 nm | 1,6 à 2,0 V | Orangefoncé | Arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) | 602 à 610 (ou 625) nm | 2,0 V | Orangeclair | Arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) | 590 à 602 | 2,0 V | Jaune | Arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) | 570 à 590 nm | 2,1V | Jaune vert | Phosphure de gallium (GaP) |

obtenir de l’infrarouge, le matériau adapté est l’arséniure de gallium (GaAs) avec comme dopant du silicium (Si) ou du zinc (Zn). Les fabricants proposent de nombreux types de diodes aux spécificités différentes. On peut citer le type le plus répandu : les diodes à l’arséniure de gallium, ce sont les plus économiques et ont un usage général. Bien qu’elles nécessitent une tension directe plus élevée, les diodes à l’arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs) offrent une plus grande puissance de sortie

obtenir de l’infrarouge, le matériau adapté est l’arséniure de gallium (GaAs) avec comme dopant du silicium (Si) ou du zinc (Zn). Les fabricants proposent de nombreux types de diodes aux spécificités différentes. On peut citer le type le plus répandu : les diodes à l’arséniure de gallium, ce sont les plus économiques et ont un usage général. Bien qu’elles nécessitent une tension directe plus élevée, les diodes à l’arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs) offrent une plus grande puissance de sortie

DOCTORALE DES SCIENCES CHIMIQUES par Sophie DESMOULINS-KRAWIEC Ingénieur ISMRa / ENSICAEN POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR SPÉCIALITÉ : Physico-chimie de la matière condensée ********************* Elaboration de particules nanostructurées de nitrures et d’oxynitrures métalliques en milieu fluide supercritique. Etude et modélisation des mécanismes de croissance des particules. ********************* Soutenue le : 11 mai 2004 Après avis de : MM. J.-C. NIÈPCE (Professeur) J.-P. PETITET

intense. Entités chimiques BeCl2 – BeO Masse atomique Symbole Élément 10.81 Étymologie Découverte B Bore Du composé borax. Découvert en 1808, en Angleterre et en France, par Davy et Gay-Lussac. Le Bore, sous forme de nitrure de Bore, est utilisé dans la fabrication de matériaux composites. Les verres borosilicatés (type pyrex) résistent bien aux fortes températures. Propriétés Physico-chimiques Solide léger et très dur. Réagit avec le dichlore. S'oxyde à l'air

du bonbon, qui jouent un rôle similaire à celui des luminophores. 33 1. La fréquence associée à la longueur d’onde dans le vide de 470 nm est plus grande que celle associée à 550 nm : la diode au nitrure de gallium émet autour de 470 nm, et le luminophore autour de 550 nm. 2. La diode au nitrure de gallium émet dans le bleu, si elle n’est pas associée aux luminophores. 3. Le luminophore émet principalement du jaune (mais émet aussi dans le rouge et le vert). 4. La superposition de faisceaux de lumière

de 15 à 20 % en production industrielle, suivant la cristallographie du silicium. Le reste du marché utilise les modules à base de couches minces en matériaux semi-conducteurs simple (silicium amorphe et microcristallin) ou composé (cuivre-indium-gallium-selenium CIGS, tellure de cadmium CdTe…). Ils constituent la deuxième génération pour laquelle des progrès importants ont été observés, ces dernières années, tant sur le rendement de conversion (de 10 à 18 %) que sur la fiabilité, accompagnés par