étude du transistor bipolaire haute et basse fréquence

Pages: 10 (2397 mots) Publié le: 27 juin 2014
Groupe 1

SOMMAIRE

SOMMAIRE .......................................................................................................................................... 1
INTRODUCTION ................................................................................................................................. 2
I-

DESCRIPTION ET SYMBOLE DU BJT............................................................................... 3
1-) description.......................................................................................................................... 3
symboles ....................................................................................................................... 3

2-)
II-

ETUDE THEORIQUE DU TRANSISTOR............................................................................ 4

1)

Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4

2)

Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4
a)

Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4

b)polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................. 5

C)

Polarisation en mode normal du BJT ........................................................................ 6

III

ETUDE DU BJT EN REGIME STATIQUE .......................................................................... 7

III-1 Modèle d’Ebers et Moll................................................................................................... 7
a)

Cas des faibles niveaux d’injection ............................................................................. 12

b)

Cas des forts niveaux d’injection ............................................................................. 14

IV

CARACTERISTIQUE STATIQUE DU BJT....................................................................... 16
Régime normale de fonctionnement ..................................................................... 18

IV-1
V-

FONCTIONNEMENT DU BJT EN HAUTE ET BASSE FREQUENCE ........................ 19

V-1

Etude du BJT en basse fréquence .......................................................................................... 21

V-2

Etude duBJT en haute fréquence ......................................................................................... 24

V-2-1
VI-

Réponse fréquentielle en HF ........................................................................................... 27

DOMAINES D’APPLICATION DU BJT ............................................................................. 30

CONCLUSION.................................................................................................................................... 32
BIBIOGRAPHIE ................................................................................................................................. 33

Groupe 1 : étude du transistor bipolaire haute et basse fréquence

Page 1

Groupe 1

INTRODUCTION
Inventé en 1948 par leschercheurs américains J. Barden, W. Brattain et w
Shockley. Le transistor est l’un des composants non linéaires les plus utilisé en électronique et
peut être défini comme étant un élément semi-conducteur constitué de deux jonctions PN
monté en tête bêche. C’est un composant électronique actif c’est à dire un composant qui est
capable de transformer un signal électrique et d’amplifier sapuissance. Les transistors
bipolaires reposent sur l’exploitation de deux types de porteurs (électrons, trous) .de telles
structures sont constituées d’un empilement de trois couches de semi-conducteurs de types
différents : NPN et PNP. Ils sont constitués de trois bornes à savoir : la Base qui est la région
très mince et faiblement dopée, l’Emetteur qui est la région fortement dopée et le...
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