étude du transistor bipolaire haute et basse fréquence
2397 mots
10 pages
Groupe 1SOMMAIRE
SOMMAIRE .......................................................................................................................................... 1
INTRODUCTION ................................................................................................................................. 2
I-
DESCRIPTION ET SYMBOLE DU BJT ............................................................................... 3
1-) description.......................................................................................................................... 3 symboles ....................................................................................................................... 3
2-)
II-
ETUDE THEORIQUE DU TRANSISTOR ............................................................................ 4
1)
Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4
2)
Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4
a)
Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4
b)
polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................. 5
C)
Polarisation en mode normal du BJT ........................................................................ 6
III
ETUDE DU BJT EN REGIME STATIQUE .......................................................................... 7
III-1 Modèle d’Ebers et Moll ................................................................................................... 7
a)
Cas des faibles niveaux d’injection ............................................................................. 12
b)
Cas des forts niveaux d’injection ............................................................................. 14
IV
CARACTERISTIQUE STATIQUE DU BJT