Germanium

épaisseurs de couches particulièrement minces de 3 μm20 à 20 μm. Du reste, il présente le défaut d’avoir un taux d’efficacité commercial de 6 à 8% seulement. Pour augmenter ce taux, plusieurs couches sont combinées, en utilisant des alliages de silicium-germanium (a-SiGe) ou des couches micro-morphes (μc-Si). Les avantages des cellules en couches minces sont :  une faible sensibilité à la température et à l’opacité,  la possibilité de les appliquer sur des matériaux flexibles tels que des plaques en

variations relatives de la température T . De façon usuelle, pour un doublement du courant, c’est-à-dire ∆I0 = I0 soit ∆I0 /I0 = 1, on calcule la variation de température ∆T : ∆T = 1 T2 . 3T + N Les valeurs diffèrent notamment pour le Germanium et pour le Silicium. 11 (1.26) C f I I C B B f E E I C I E N P N B B C f I f C E E I C E P N P Fig. 1.8 – Conventions de courants et tensions. Pour le Silicium

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇC), le nombre volumique des élecr trons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇC), le nombre volumique des élecr trons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin Un

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇC), le nombre volumique des élecr trons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇC), le nombre volumique des élecr trons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇrC), le nombre volumique des électrons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇrC), le nombre volumique des électrons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin Un semiconducteur

silicium a un nombre volumique d’atomes de 5.1022 par cm3 . A 300K (27ˇrC), le nombre volumique des électrons libres et des trous est de 1,5.1010 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 3,3.1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 par cm3 . A 300K, le nombre volumique des électrons libres et des trous est 2,5.1013 cm−3 , soit une paire électron libre-trou pour 1,8.109 atomes. 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin Un semiconducteur

question précédente. Ne pas oublier les constantes d’intégration. 4) L’électron est accéléré dans un sens opposé à celui du champ E puisqu’il est chargé négativement, E est toujours dirigé vers les potentiels décroissants. 14 *Conduction dans le germanium. Effet Hall D’après Mines d’Albi, Alès, Douai, Nantes. plan x = O yvO O o A a x 1 • Montrer que le champ électrique E , dans le vide, est uniforme. 2 • Calculer E et V(x) . A.N. : Calculer E avec U = 10 kV et a = 1 m . 3 • Un électron entre