Grille harmonique

espaces limités et aux environnements les plus contraignants (IP21). L ’onduleur Eaton E-series DX protège les équipements qui lui sont connectés de toutes les perturbations du réseau électrique, surtensions, fluctuations de tension, distorsion harmonique et variations de fréquence. Cet onduleur est également doté d’un mode de gestion intelligente des batteries (Intelligent Battery Management System) qui prolonge leur durée de vie de manière signicative. Un système très compact grâce à ses batteries

la tension substrat VB sont différentes. Dans le cas d'un NMOS la tension substrat VB est la tension d'alimentation basse VSS (souvent la masse 0V) et si VSB > 0 alors VTn > VTn0 VBS = 0 ? oui non D drain Calculer VTn VTn = VTn0 G grille B substrat La tension VGS d'un NMOS doit être positive et > VTn pour qu'un courant IDn circule dans le transistor (toujours de D vers S) IDn S source VGS > VTn ? oui non Qn bloqué IDn = 0 Qn passant Calculer VDS La tensionVDSsat

arc électrique s'établirait entre les contacts qui ne couperaient plus aucun courant. Seuls les interrupteurs statiques à base de semi conducteurs sont utilisés. On trouve : • la diode, • le transistor bipolaire, • le transistor à effet de champ à grille isolé (MOS), • l'IGBT (insulated gate bipolar transistor), • le thyristor "classique", • le thyristor GTO (gate turn off). 1 Principes fondamentaux : Aire de sécurité en direct : Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini

Les Transistors sont de petits éléments électroniques à base de silicium. Il en existe de 2 types, Les NPN et les PNP. Le NPN et le PNP sont les dopages d'un élément électronique. Pour un capteur NPN par exemple, vous avez 3 couches de silicium "Bohrées" .S'il est NPN cela veut dire que la 1ière couche est dopé négativement, la 2nd positivement et la 3ième négativement. Gap Pour crée un transistor, on ajoute des impureté en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés

1.2.2.5 Conjugaison complexe On note x¤ le signal conjugué de x1.11. Calculons TF[x¤(t)] : TF[x¤(t)] = Z +1 ¡1 x¤(t)e¡j2¼ºtdt = µZ +1 ¡1 x(t)e+j2¼ºtdt ¶¤ Et donc : TF[x¤(t)] = X¤(¡º) (1.11) Remarque : si x est un signal réel, alors x(t) = x¤(t), donc X(º) = X¤(¡º). Si de plus x est pair (ou impair), alors x(t) = x(¡t) (respectivement x(t) = ¡x(¡t)) et en utilisant la remarque du paragraphe 1.2.2.4, il vient X¤(¡º) = X¤(º) (respectivement X¤(¡º) = ¡X¤(º)) d’où X(º) = X¤(º) et X est réelle

Il est rendu passant grâce à une tension vGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. La jonction drain-source est alors assimilable à une résistance très faible : RDSon de quelques mΩ. On le bloque en annulant vGS, RDS devient alors très élevée. Grille (G) iD Drain (D) Substrat Source (S) vDS vGS Figure 28 : Transistor MOS.

G : Grille (Gate), B : Substrat (Bulk). 2-CONSTITUTION Les circuits PMOS sont Constitué uniquement de transistors MOS à enrichissement canal P. Etant des MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effet Transistor) ou TECMOS (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur) les transistors PMOS enrichissement doivent leur nom à leur structure en sandwich : un semi-conducteur, une couche d’oxyde (SiO2), une métallisation (aluminium, silicium poly cristallin) constituant la grille. Cette

2 exercices corrigés d’Electronique de puissance sur l’onduleur Exercice Ond01 : onduleur autonome On réalise le montage suivant en utilisant quatre interrupteurs électroniques, fonctionnant deux par deux : iG iK1 K1 R i K4 u K3 K2 E Le générateur de tension continue a une f.e.m. E égale à 24 V. La charge est une résistance de valeur R = 100 Ω. Le fonctionnement des interrupteurs est résumé sur le diagramme ci-dessous : K1, K 3 fermés 0 1 4 6 K2, K4 fermés T 9 10 t (ms) Les

Baccalauréat technologique Sciences et technologies industrielles (STI) Génie Electrotechnique Session 2007 Eléments de correction de l’épreuve de Physique appliquée Etude d’un tapis de jogging Partie A : Etude de l’onduleur 12-1 Par exemple : transistor de puissance MOSFET Umoy = 0 V L’onduleur réalise une conversion continu → alternatif = 4,24 A 2 On utilise un ampèremètre avec la fonction RMS (ou AC). u=E 0 ≤ t ≤ t1 : t1 ≤ t ≤ T/2 : I= I max 2-2-1 2-2-2 2-3-1 2-3-2 le courant va de B

TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G : Grille G S: Source D : Drain