Jonction communicante

thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation . 06/03/2014 4 Materiaux de type P et N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Jonction P-N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Recombinaison des porteurs ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Zone de déplétion ECINE 2ème année http://www

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5

2) Etude d’une diode de redressement 1.1) Etude Théorique La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue d’ailleurs le plus simple élément. La diode se compose d’une jonction PN, Positif Négatif (figure 1) généralement en germanium ou en silicium. La première ne résistant pas à plus de 75°, la seconde à 200° environ, détrône ainsi le germanium plus spécialement employé dans les récepteurs hyperfréquences.

transformateur en impulsions unidirectionnelles du courant. Pour introduire cette notion de redressement il faut tout d’abord introduire la notion de diode parce que tout simplement le redressement s’effectue à l’aide des diodes. La diode est une jonction PN à matériau semi-conducteur qui impose le sens du courant dans la branche où elle est installée. C’est un interrupteur non commandé. On dit alors que la conduction de la diode est unidirectionnelle. Pour caractériser cette dernière il suffit de

capable de se déplacer au sein du cristal est ainsi créé. dopant Cristal initial Cristal dopé Les matériaux semi-conducteurs Décembre 2000 Page 2 / 4 E f f e t P h o t o v o l t aïque Présentation 1.2. Création de la jonction P-N Une jonction P-N résulte de la mise en contact 2 deux cristaux semi-conducteurs, l’un dopé fig 1). Sous l'effet d’un gradient de charge, les électrons excédentaires de la zone N vont avoir tendance à migrer vers la zone P déficitaire en électrons et

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5 Caractéristique

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3

nommées le drain (cf. collecteur) et la source (cf. émetteur). Pour un JFET à canal de type N, la grille est de type P. En fonctionnement normal la tension entre le drain et la source est positive (VDS > 0) et celle entre la grille et la source (jonction PN) est négative (VGS < 0). L'augmentation de cette tension inverse fait croître les zones de déplétion (non conductrices) autour du canal jusqu'au pincement de celui-ci. La conduction du canal est donc modulée par la tension VGS. Schémas

diode est équivalente à un interrupteur ouvert. Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique

: I - 1 - Diode en commutation : I - 1 - 1 - Etude statique : Une diode à jonction PN possède une caractéristique statique donnée sur la figure 1-a. Soit ID le courant qui traverse la jonction et VD la tension anode - cathode aux bornes de la diode (figure 1-b). ID (mA ) II I ID A node Cathode 0 VD V D0 - aVD - b- Fig. 1 : a- Caractéristique statique d'une diode à jonction b- Symbole d'une diode à jonction La caractéristique statique ID = f(VD) présente deux zones de fonctionnement