Jonction P-N

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . .

extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . .

type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . .

car il va permettre d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc.) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression,). Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son domaine d'action est donc particulièrement vaste A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres). L'avènement du transistor

semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension

type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . .

arrow represents un direction of the current flow. The un courton circuit dans l’autre. Une cathode, an old term taken from vacuum laquelle le courant the diode represents the diode consiste en une jonction p-n, dans tube days. Physically thecircule is amat´riel p vers le current flow predominantly from p to n type material. diode du pn e junction with n. 1. Choose a silicon diode and measure its forward and reverse resistance with the digital Figure 1: La direction de la diode est indiqu´eupon

bipolaire est un composant à trois pattes (Base, émetteur, collecteur)  , il est composé d’un cristal semi-conducteur comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée pour la base B et une grande région N moyennement dopée pour le collecteur C. Le transistor permet donc d’amplifier

cette fréquence, d’autre part la nécessité de réduire les pertes Joule dans le composant limite également cette fréquence. Exemple numérique : Prenons E = 200 V, I = 10 A, P = 1000 W, tous les temps de commutation ΔT = 100 ns, fréquence de découpage f = 100 kHz. Les pertes par commutation seront de f ⋅ 2ΔT ⋅ E ⋅ I = 40 W soit 4 % de P. Les pertes par commutation sont directement proportionnelles à la fréquence de découpage pour un composant actif donné. C'est de là que 4 provient la limite en fréquence