Master P

 Synthèse Pont Interrupteurs de Puissance Pont Redressement Non Commandé: (Diode) Etat Passant Etat Bloqué En résumé, la diode est un interrupteur électronique : - unidirectionnel en courant (un seul sens de conduction)

Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description

Institut Supérieur des Systèmes Industriels de Gabès (ISSIG) TP Atelier Electronique Pratique n°1 : Etude & réalisation d'une Alimentation Stabilisée I-Introduction Aux Alimentations Stabilisées La grande majorité des équipements électroniques a besoin d’une source de courant continu qui peut être une pile ou une batterie, mais qui généralement est constituée d’un circuit transformant le courant alternatif du secteur (220V, 50Hz) en courant continu : l’alimentation stabilisée. Les circuits électroniques

Effet Photovoltaïque Présentation Décembre 2000 Apex BP Solar 1, rue du Grand Chêne 34270 Saint-Mathieu-de-Tréviers FRANCE Téléphone 33 (0) 499 622 622 Fax 33 (0) 499 622 623 Web http://www.apex-france.com Email info@apex-france.com E f f e t P h o t o v o l t aïque Présentation Découvert en 1839 par Henry Becquerel, l’effet photovoltaïque permet la transformation de l'énergie lumineuse en électricité. Il repose sur la technologie des semi-conducteurs 1. LES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description .

Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description

|207 814 | |10 |Toyota Motors |204 352 | ] Voir aussi Fortune 1000 • Fortune Global 500 • S&P 500 • Classement des plus grandes entreprises américaines Fortune Global 500 (2007) La liste ci-dessous répertorie les 20 plus grandes entreprises mondiales par chiffre d'affaires de 2007 selon le Fortune Global 500. Les chiffres ont été publiés

d'enrichissement Le régime d'enrichissement, dit aussi d'accumulation, se caractérise par une densité élevée de charges dans la zone du semiconducteur proche de l'isolant, de même type que celles présentes dans le substrat (donc des trous s'il est de type p, des électrons s'il est de type n). Pour la structure prise ici, le régime d'enrichissement existe si Vg < Vfb. ------------------------------------------------- Régime d'appauvrissement ------------------------------------------------- Dans le

donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : nA RS = V/I et une résistance

Séries fonctionnant en logique non saturée : S ( Schottky ); L.S ( Low Power Schottky ); A.L.S ( Advanced L.S ); A.S ou F.A.S.T (Fairchild A.S Technology). La technologie MOS contient les familles logiques suivantes : - MOS : à canal N - MOS : à canal P - CMOS : MOS complémentaire III - 2 - Technologie bipolaire : Nous allons décrire par la suite trois familles logiques importantes à savoir T2.L, I2.L et E.C.L. III - 2 - 1- Famille logique T2.L : III - 2 - 1- 1 - Introduction : La fabrication des circuits