Semi-liberté

Technologie digitale Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Electricité et électronique

On peut voir l'électricité comme des ensembles d'électrons se déplaçant d'un point à un autre

L'électronique est la science du contrôle de ces ensembles d'électrons

Le contrôle le plus simple est fourni par un interrupteur mécanique Page 2 Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Interrupteurs électro-aimant courant Y courant X ressort transistor MOS voltage

solaire R 1367 W/m2 9 Energie solaire photovoltaïque • Exploitation de cette énergie : – Utilisation passive (éclairage et chauffage) – Solaire thermique (production d’eau chaude) – Solaire photovoltaïque • Comment convertir cette énergie : – Semi-conducteurs capable de convertir la lumière en énergie électrique (filière à taux de croissance élevé, chute des coûts de production, …) 10 Bref historique • Effet photovoltaïque découvert en 1839 par A. Becquerel • Phénomène exploité tardivement

Première approximation : modèle réelle (rD ≠0 ; V0 ≠0) Évolution de VD Caractéristiques électriques État de la Courant Schéma équivalent diode ID VD < V0 bloquée ID = 0 VD ≥ V0 passante ID > 0 III-2- Deuxième approximation : modèle à seuil ou semi-idéal ou simplifié (rD =0 ; V0 ≠0) Évolution de VD Caractéristiques électriques État de la Courant Schéma équivalent diode ID VD < V0 bloquée ID = 0 VD = V0 passante ID > 0 III-3- Troisième approximation : modèle idéal (rD =0 ; V0 =0) Évolution

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

partir de deux couches de Silicium (matériau semi-conducteur) : - une couche dopée avec du Bore qui possède moins d'électrons que le Silicium, cette zone est donc dopée positivement (zone P). - une couche dopée avec du Phosphore qui possède plus d'électrons que le Silicium, cette zone est donc dopée négativement (zone N). (2) Types de cellules La plupart du temps, c’est le silicium qui est utilisé comme semi-conducteur. Celui-ci est disponible sous

d'autres composants imprimés (inductances, résistances, capacités, par exemple) seuls ou combinés entre eux selon un schéma préétabli, à l'exclusion de tout élément pouvant produire, redresser, moduler ou amplifier un signal électrique (éléments à semi-conducteur, par exemple). L’expression circuits imprimés ne couvre ni les circuits combinés avec des éléments autres que ceux obtenus au cours du processus d'impression, ni les résistances, condensateurs ou inductances discrets. Toutefois, les circuits

Lettres et son 1. L’alphabet : 28 lettres, féminine (la be, la ce ; las aes, las ees, las íes, las oes, las úes, las bes, las aches… ) 2. Les voyelles : voyelles fortes : a, e, o voyelles faibles : i, u (appelé parfois semi-consonnes). 3. les consonnes : y est semi-voyelle ! patio = pa-ti-o comme sitio (=/= émotion) L’accentuation 4. L’accentuation orale et écrite -1. Les règles d’accentuation : -mot llano (oxyton) : si : -voyelle, -n, -s => casa, casas ; cantaba, cantaban (ainsi

photovoltaïques, chacune d'elles délivrant une tension de 0.5V à 0.6V. Elles sont donc assemblées pour créer des modules photovoltaïques de tension normalisée comme 12V. La cellule photovoltaïque est fabriquée à partir de deux couches de Silicium (matériau semi-conducteur) : - une couche dopée avec du Bore qui possède moins d'électrons que le Silicium, cette zone est donc dopée positivement (zone P). - une couche dopée avec du Phosphore qui possède plus d'électrons que le Silicium, cette zone est donc

La cellule photovoltaïque Voir aussi : les semi-conducteurs - la jonction PN - Le générateur photovoltaïque - La cellule photovoltaïque est l'élément de base des panneaux solaires qui produisent de l'électricité. Description Un cristal semi-conducteur dopé P est recouvert d'une zone très mince dopée N et d'épaisseur e égale à quelques millièmes de mm. Entre les deux zones se trouve une jonction J. La zone N est couverte par une grille métallique qui sert de cathode k tandis qu'une plaque

technologie, dont Soitec, leader mondial du silicium sur isolant, il dépose quelque 180 brevets par an et gère un portefeuille de 1 000 inventions protégées par des brevets avec le commissariat à l’énergie atomique (CEA) et l’un des leaders mondiaux des semi-conducteurs (STMicroelectronics). A ce groupe c’est joint de petites et moyennes entreprises qui fabriquent des équipements pour mener à bien les recherches des chercheurs et ingénieurs. Sans oublier que ces scientifiques sont à l’origine des « start-up