SRAM

processeur. Ces données sont d'apparence binaire et mémorisées sous forme d'impulsions électriques (une impulsion est égale à 1, aucune impulsion est égale à 0). Plusieurs types de mémoires sont utilisés, différentiables par leur technologie (DRAM, SRAM, ...), leur forme (SIMM, DIMM, ...) ou encore leur fonctionnement (RAM, ROM,). 1.8.1. ROM (Read−Only Memory) Ce type de mémoire est par définition une mémoire ne pouvant être accessible qu'en lecture. En fait, certaines variantes peuvent être lues

|1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |H $7FFF | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |IW02 |6116 |SRAM | |0 |1 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |L $4000 | | | | |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1

d’eux se fracassa dans un bruit sourd. Une douzaine de personnes habillées en rouge et noir avançaient solennellement vers eux. « Des démons…. » Pensèrent Casino-ll et Sacrieur-ll. Avant qu’ils ne puissent même bouger de leur place, Un disciple de Sram sournois posa un piège d’immobilisation juste sous leurs pieds, les clouant au sol, accompagné d’un autre piège absorbant toute leur énergie. Ils tombèrent par terre complètement inconscients. AAAAAAARGH. Sacrieur-ll se massa les tempes. Ses

question suivante: puisque l'implantation d'une mémoire cache à proximité du processeur est si bénéfique, pourquoi n'utiliset-on pas un cache pour l'ensemble de la mémoire principale? Pour une simple raison : la mémoire cache est un type de puce appelé SRAM (RAM statique), très coûteux et qui occupe plus d'espace par méga-octet que les DRAM, généralement employées pour la mémoire principale. De plus, si la mémoire cache améliore les performances globales du système, elle ne le fait que jusqu'à un certain

• Tension recommandé : de 7V à 12V • Tension limite : de 6V à 20 V • Entrées analogiques : 8 • Entrés/sorties numériques : 14 dons 6 dédiés pour le PWM • Mémoire Flash : 32 KB dont 2 KB utilisé pour le bootloader • SRAM : 2 KB • EEPROM : 1KB • Horloge : 16 MHz • Taille : 0.73 pouces x 1.70 pouces • Reset automatique durant la phase de téléchargement du programme. • LED de contrôle de tension. • LED pour le RX et TX ainsi qu’une

l'information – La testabilité du composant • Il existe deux types de connexions – Programmable un seule fois ; le composant est réutilisable • Fusible • Antifusible – Reprogrammable ; le composant est reprogrammable • MOS à grille flottante ; EPROM • SRAM Cours d'informatique industrielle - IUT 2ème année - Vincent FRICK MCENSL1 – page 26 • Circuits complexes : CPLD (Complex PLD) – Association de plusieurs PLD appelés LAB (Logic Array Bloc) sur un même substrat. Les PLD sont interconnectables

Component Interconnect - Express c) SATA Serial ATA ou S-ATA – Serial Advanced Technology Attachment d) AGP Accelerated Graphics Port (Port Graphique Accéléré) e) RAM Random Access Memory f) DRAM Dynamic Random Access Memory g) SRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory h) FSB Front Side Bus i) HD Hard Drive j) LBA Logic Block Addresing k) BIOS Basis Input Output Sytem l) POST Power on self test m) CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

modification du mot mémoire Adresse Décodeur adresses READ / WRITE DONNEES 66 Université Paul Sabatier Module ASR1 - Architecture Classification des mémoires MEMOIRES MORTES ROM PROM EPROM EEPROM FLASH ROM VIVES STATIQUES DYNAMIQUES ASYNCHRONE SRAM FPM EDO SYNCHRONE SDRAM DDR-SDRAM RAMBUS VCM-RAM 67 Université Paul Sabatier Module ASR1 - Architecture Caractéristiques des mémoires • Mémoires mortes – Mémoires conservant l’information en l’absence d’alimentation électrique (ROM,PROM) – Effaçables

produire des puces qui du fait de leur complexité n’entreraient pas en concurrence frontale avec celles de Fairchild. Deux événements furent cruciaux au cours des premières années. Tout d’abord, si la première mémoire produite par Intel était statique (SRAM), elle fut rapidement remplacée par une mémoire dynamique (DRAM). Deuxièmement, suite à la défaillance d’un sous-traitant, incapable de proposer le nouveau procédé de fabrication demandé, Intel fut obligé de prendre en charge la totalité de son processus

distructiva. Din acest motiv celula de memorie trebuie sa fie reimprospatata dupa fiecare citire, ceea ce duce la micsorarea performantei in ansamplu si are loc la fiecare 64 micro s. tipuri de memorii DRAM: FPM DRAM – Fast page Mode • Statica, SRAM 4 tranzistori si 2 rezistente. Schimbarea starii intre 0 si 1 se real prin comutarea starii tranzistorilor. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Memoria statica nu necesita reimprospatarea ei, ceea ce o face sa fie mai rapida