Substance P

fera mieux connaitre par le public européen. Il crée aussi sur la chaîne Nickelodeon une série familiale intitulé Romeo!. Son père et Zachary Williams (son petit frère dans Honey) y jouent aussi. Puis, il joue dans une production de son père "Uncle P", sortie en 2007. Il enregistre aussi un single avec Hilary Duff "Tell me". En 2004, Lil'Romeo revient avec un autre album intitulé Romeoland et crée son propre groupe qui se nomme Rich Boyz. Ce groupe a été créé à la base pour la dernière saison

|207 814 | |10 |Toyota Motors |204 352 | ] Voir aussi Fortune 1000 • Fortune Global 500 • S&P 500 • Classement des plus grandes entreprises américaines Fortune Global 500 (2007) La liste ci-dessous répertorie les 20 plus grandes entreprises mondiales par chiffre d'affaires de 2007 selon le Fortune Global 500. Les chiffres ont été publiés

association(s) soutenue(s) par l’Université de Nantes. WWW.UNIV-NANTES.FR WWW.SCOPITONE.ORG Cet agenda vous invite à découvrir toute l’actualité de la rentrée universitaire pour ne rien rater de ce qui fait la richesse de la vie des campus. EL-P (Hip-hop - USA) BANG ON! (Hip-hop - UK) INFINITE LIVEZ (Hip-hop - UK) Retrouvez toute l’actualité de l’Université de Nantes sur : www.univ-nantes.fr/agenda Lundi 3 septembre Contes Cinéma Colloque Colloque Radio Concert Bienvenue aux Jardins

d'enrichissement Le régime d'enrichissement, dit aussi d'accumulation, se caractérise par une densité élevée de charges dans la zone du semiconducteur proche de l'isolant, de même type que celles présentes dans le substrat (donc des trous s'il est de type p, des électrons s'il est de type n). Pour la structure prise ici, le régime d'enrichissement existe si Vg < Vfb. ------------------------------------------------- Régime d'appauvrissement ------------------------------------------------- Dans le

donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : nA RS = V/I et une résistance

Séries fonctionnant en logique non saturée : S ( Schottky ); L.S ( Low Power Schottky ); A.L.S ( Advanced L.S ); A.S ou F.A.S.T (Fairchild A.S Technology). La technologie MOS contient les familles logiques suivantes : - MOS : à canal N - MOS : à canal P - CMOS : MOS complémentaire III - 2 - Technologie bipolaire : Nous allons décrire par la suite trois familles logiques importantes à savoir T2.L, I2.L et E.C.L. III - 2 - 1- Famille logique T2.L : III - 2 - 1- 1 - Introduction : La fabrication des circuits

extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct.........................................................................................

Les principaux composants et fonctions électroniques I – LES DIODES I – 1 – Physique des composants La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N. ZAÏBI.G 2 I – 1 – Physique des composants I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a / Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) : • Ce sont des matériaux qui sont isolants presque parfaits

Enoncés È Exercice 9.1 |α| = IC /IE = 99,5/100 = 0,995. β = α/(1 – α) = IC/IB ≈ 200 Exercice 9.2 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche