Transistor Darlington

2012-2013 CLASSE: 2NDE D THEME: TRANSISTOR Présentée par : - FRANCISCO BANDOU Murielle PLAN INTRODUCTION I- DEFINITION ET HISTOIRE DU TRANSISTOR 1-DEFINITION 2-HISTOIRE II- FONCTIONS ET TYPES DE TRANSISTOR 1-FONCTIONS 2-TYPES DE TRANSISTOR III- EVOLUTION DU TRANSISTOR, SON PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET DESCRIPTION SCHEMATIQUE 1-EVOLUTION DU TRANSISTOR 2-PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 3- DESCRIPTION SCHEMATIQUE

R1=(1.10^3(10-5))/5 R1=1.10^3Ω=1kΩ d) R1=1kΩ ; 1/4W ; P=U²/R= 25mW e) Va1=900/(900+1000)*10= 4,73V f) Va2= 1100/(1100+1000)*10=5,23V I.3)Etude de FP2 a) Le fonctionnement d'un amplificateur intégré linéaire est le suivant: des transistors amplifient. b) V1=(R3+R4)/(R2+R3+R4)*VCC c) V1 (R2+R3+R4)=(R3+R4)*VCC V1R2+V1R3+V1R4=R3VCC+R4VCC V1R2+V1R3=R3VCC+R4VCC-R4V1 V1R3=R3VCC+R4(VCC-R4V1)-V1R2 V1R3-R3VCC=R4(VCC-V1) R3=(R4(VCC-V1)-V1R2)/(V1-VCC) R3= (12.10^3(10-5

22 1.5.4. Filtrage 23 1.6. Diode Zener 26 1.6.1. Définitions 26 1.6.2. Stabilisation de tension par une diode Zéner 31 2. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINUE 36 2.1. NOTIONS FONDAMENTALES 36 2.1.1. STRUCTURE DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE 36 2.1.2. EFFET TRANSISTOR 36 2.1.3. QUELQUES CONSTANTES FONDAMENTALES DES TRANSISTORS 38 2.2. CARACTERISTIQUES D’UN TRANSITOR BIPOLAIRE 40 2.2.1. CARACTERISTIQUES DE COLLECTEUR 41 2.2.2. CARACTERISTIQUES DE BASE 43

........................................................................................ 3 2-) II- ETUDE THEORIQUE DU TRANSISTOR ............................................................................ 4 1) Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4 2) Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4 a) Polarisation directe de la jonction Base

. . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

réalisés par les diodes de puissance. Lorsque les applications nécessitent une intervention extérieure, les composants commandables entrent en jeu : parmi ceux-ci, le document se limite à l’étude des thyristors et des transistors de puissance bipolaires ou MOS. Un bref aperçu du transistor IGBT, plus moderne, est présenté pour terminer. L’étude de la diode de puissance commence par un rappel de ses fonctions, considérée parfaite et fonctionnant en commutation. Une extension relative aux imperfections

vue, sembler complexe. Mais, en passant au schéma pratique de câblage, reproduit en figure 18, nous nous rendons compte que pour réaliser cette alarme, il n’y a besoin que d’un seul circuit intégré CMOS type 4093 qui contient 4 portes Nand, d’un transistor NPN et d’un simple régulateur de tension L7812. La broche d’entrée 1 de la porte Nand IC2/A se trouve forcée au niveau logique haut par la résistance R4, pendant que la broche d’entrée 2 se trouve forcée au niveau logique bas par la résistance

phénomène systématiquement détectable par le robot. Nous allons utiliser la LED réceptrice du Moway, car aucune source ne peut délivrer une source infrarouge. LED: Une DEL ou LED est un dipôle non-linéaire polarisée. Phototransistor: C'est un transistor bipolaire qui est sensible à la lumière. Son rôle est de convertir un signal lumineux à un signal électrique. Dans cette partie on cherche à savoir si le robot peut se diriger vers sa base lorsque celle-ci émet un rayonnement infrarouge. Pour

Le transistor Le transistor est le composant électronique fondamental en électronique. Il est utilisé comme interrupteur, pour stabiliser une tension ou moduler un signal. Un transistor est un dispositif semi-conducteur, qui permet de contrôler un courant. Le mot « transistor » provient de l’anglais « transfer resistor », qui veut dire « résistance du transfert ». Le terme transistor désigne aussi les récepteurs radio équipés de transistors. Le transistor a été inventé le 23 décembre 1947

présents dans le substrat viennent se placer dans la zone le plus superficielle du semiconducteur. JFET : Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. Fonctionnement Principe de fonctionnement Le transistor est formé par une couche de semi-conducteur peu dopée (canal) placée entre deux couches de semi-conducteur