Transistor Darlington

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

Retour au menu È Montage émetteur commun 1 – Polarisation d’un transistor 1.1 – Rôle de la polarisation La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone où ses caractéristiques sont linéaires. Pour cela, on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continus de valeurs convenables. Nous allons étudier les montages dans lesquels l’électrode commune est l’émetteur. En entrée, on impose IB et VBE et en sortie, on déduit IC et

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

1. Le transistor a` effet de champ a` jonction Transistors a` effet de champ (1) ´ A. Kasbari - 9 decembre 2014 - Page 1 / 6 Transistors a` effet de champ (1) 1. Le transistor a` effet de champ a` jonction 1.1. Structure et principe de fonctionnement ´ 1.2. Les differents modes de fonctionnement 1.1 Structure et principe ´ 3 electrodes : source, drain, grille Une jonction PN entre la source et la grille Polarisation en inverse de cette jonction (VGS < 0) et VDS > 0 ´ VGS diminue ⇒ ZCE s’etend

la carte 2.2.6. Étude de la commande d’un relais Un transistor permet de commander le relais e n t ou t o u r i e n à partir du signal Ve. Baccalauréat Professionnel SYSTEMES ELECTRONIQUES NUMERIQUES Champ professionnel : Electrodomestique Session : 2008 Epreuve : E2 DOSSIER CORRIGE Durée : 4 heures Coefficient : 5 Page C 5 / 25 0806-SEN T ED AN-1 C Bac Pro SEN Epreuve E2 Session 2008 Données : T: transistor NPN, ß = 250, Vcesat = 0,2V Vbesat = 0,7V, Vcemax = 45V

conduit lorsqu’il reçoit des rayons infrarouges. Ce transistor ne supportant pas plus de 4mA, le signal ne peut être utilisé directement et doit être amplifié. Attention : le phototransistor NPN ressemble à une LED incolore, mais le méplat correspond au collecteur et donc, contrairement à une LED, se trouve du côté « + ». Le détecteur est un amplificateur opérationnel de type LM311 qui fonctionne dans une plage de 5 à 15v et dont la sortie est un transistor NPN supportant 50mA, ce qui permet de commander

......................................................... 19 IV. Transistor à jonction ou transistor bipolaire ............................................................... 22 IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor........................................................ 22 IV.2 Réseau de caractéristique du transistor .................................................................. 23 IV.3 Polarisation du transistor .................................................................

(R )dB = 10 log Ps     Pe  Ps : puissance efficace de sortie Pe : puissance efficace d’entrée   4 FORMULAIRE LICENCE RADIOAMATEUR F4 F4BJH-11/07 DIODES I I U cathode anode diode bloquée diode passante U B IB IC TRANSISTOR BIPOLAIRE C NPN E B IC = β × IB IB IC E PNP C La diode ne laisse passer le courant que dans Si un petit courant, peut parcourir la base dans le un seul sens. Dans ce cas, la tension à ses sens de la flèche, alors un gros courant peut

............................................................................... 17 II. Rapport de simulation ............................................................................................................ 24 1. ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 24 1.1. Etude statique ...................................................................................................................

VCC iE iS uE uS Dans le cas d’amplificateurs de signal élémentaires à un transistor, nous supposerons ce transistor initialement polarisé en classe A. 2 . Modèle petits signaux du transistor bipolaire. Soit un transistor fonctionnant en classe A ; idéalement, les coordonnées de son point de repos correspondent aux points E0, T0 et S0 du graphique ci-dessous. Les coordonnées courantes de fonctionnement du transistor se composent de ses coordonnées de repos, auxquelles sont superposées des variations