Trouble Bipolaire

. 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5 Caractéristique électrique . . . . . . . . . 3.2.5.1 Description . . . . . . . . . . 3.2.5.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.2.5.3 Caractéristique et définitions . 3.3 Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1.1 Introduction . . . . . . . . . . 3.3.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.3.1.3 Hypothèse . . . . . . . . . . . 3.3.1.4 Transistor au repos . . . . . . . 3

à la définition d’un modèle linaire équivalent. VCC iE iS uE uS Dans le cas d’amplificateurs de signal élémentaires à un transistor, nous supposerons ce transistor initialement polarisé en classe A. 2 . Modèle petits signaux du transistor bipolaire. Soit un transistor fonctionnant en classe A ; idéalement, les coordonnées de son point de repos correspondent aux points E0, T0 et S0 du graphique ci-dessous. Les coordonnées courantes de fonctionnement du transistor se composent de ses coordonnées

transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de champ). Le terme transistor provient de l’anglais transfer resistor (résistance de transfert). Il a été voté par un comité directeur de 26 personnes

1ère génie électrotechnique année scolaire 2002-2003 TP n°26 : le transistor bipolaire : présentation et réseau de caractéristiques Objectifs du TP : - avoir une notion de l’effet transistor ; - relever le réseau de caractéristique d’un transistor bipolaire ; - déterminer le facteur d’amplification en courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région

SÉCURITÉ Une alarme qui vous protège quand vous êtes chez vous Nous lisons quotidiennement dans les journaux, qu’un certain nombre de cambriolages ont lieu alors que les occupants sont pourtant présents dans leur maison. Nous avons donc pensé qu’il serait utile de publier une nouvelle alarme pouvant être mise en service même lorsque les habitants sont sur place. Ce système les avertira immédiatement si une personne mal intentionnée tente d’entrer par une porte ou par une fenêtre. es nombreux

. . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5 Caractéristique électrique . . . . . . . . . 3.2.5.1 Description . . . . . . . . . . 3.2.5.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.2.5.3 Caractéristique et définitions . 3.3 Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1.1 Introduction . . . . . . . . . . 3.3.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.3.1.3 Hypothèse . . . . . . . . . . . 3.3.1.4 Transistor au repos . . . . . . . 3

1. Einführung in das Fachgebiet 1.1 Erfindung des Transistors In den späten vierziger Jahren und als Ergebnis längerer Forschungen wurde in den Bell Laboratories der Transistor (Übergangswiderstand) entwickelt, der die physikalischen Eigenschaften eines Halbleiters nutzt und die Vakuumröhren ersetzte. Diese waren zerbrechlich, nahmen viel Platz in Anspruch und brauchten Aufwärmzeiten eher die Geräte, die sie betrieben funktionierten. Diese Erfindung, für die die Entwickler John Bardeen

3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5 Caractéristique électrique . . . . . . . . . 3.2.5.1 Description . . . . . . . . . . 3.2.5.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.2.5.3 Caractéristique et définitions . 3.3 Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1.1 Introduction . . . . . . . . . . 3.3.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.3.1.3 Hypothèse . . . . . . . . . . . 3.3.1.4 Transistor au repos . . . . .

Polarisé 1 C3 100pF (101) Céramique non 1 C2 .01μF (103) Céramique non 1 C4 .022μF (223) Céramique non 1 C1 1μF Électrolytique oui Nombre Semi-conducteur Symbol Description 1 Q1 2N3904 Transistor bipolaire NPN 1 U1 LM741 Amplificateur Circuit Intégré (CI) 1 D1 DEL Rouge Voyant lumineux pour l’alimentation 9V 1 D2 DEL Clair Transmetteur optique Nombre Description Nombre Description 1 Plaquette 1 Support de fibre

O1MM 2e année Musculation du signal Amplificateurs à transistors bipolaires Claude Chevassu version du 18 février 2012 Table des matières Introduction 0.1 iii Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Polarisation des transistors bipolaires 1.1 iii 1 1 Droites de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Polarisation par diviseur de tension