Trouble Bipolaire

Définition et symbole Le hacheur est un convertisseur statique continu-continu Symbole : Tension continue fixe Tension continue réglable Ou plus exactement : tension toujours de même signe, de valeur moyenne réglable. 2 Le transistor bipolaire en commutation Le transistor est le composant de base du hacheur. C’est lui qui va faire office d’interrupteur. Voici un bref aperçu de son fonctionnement. 2.1 Caractéristique du transistor associé à une charge résistive. b : base, c : collecteur

c'est un dispositif à semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de champ). qui peut fermer ou ouvrir des circuits électriques en un millionième de seconde et amplifier des courants électriques. Les transistors ont

Ce problème ne fut vraiment résolu qu'en fin 1959 par MM. Attala, D. Kahng et E. Labate par l'utilisation de l'oxyde thermique de silicium. Le brevet du transistor à effet de champ et le premier transistor MOS Le transistor bipolaire Le transistor bipolaire a été inventé en deux temps: L'histoire retient que J. Bardeen et WH. Brattain des Bell's lab ont inventé le transistor à pointes. Ce dispositif a fonctionné pour la première fois le 23 décembre 1947. Il s'agissait d'un dispositif assez

Sommaire 1- Etude théorique 2- Dossier de fabrication - Schéma structurel réalisé par PCAD - Bon de Commande Informatisé (chiffré) - Typon complet sur calque - Schéma d'implantation sur papier 3- Rédaction de la procédure de test détaillée - Rédaction de la procédure de test détaillée (fonction par fonction) avant d'avoir la carte fabriquée 4- Compte-Rendu des essais - Relevés - Analyse des Relevés 5- Simulation - Relevés - Analyse des Relevés 1-Etude Théorique

applications – Les réseaux de caractéristiques du transistor bipolaire – Le transistor idéal ! – Principe de l ’amplification par transistor • Quelques recommandations – Le transistor en dynamique - schéma équivalent • Signaux de faible amplitude et de faible fréquence • Comportement à haute fréquence schéma de giacoletto • Le transistor bipolaire – Définition – Le transistor bipolaire à l’équilibre – Le transistor bipolaire polarisé • Principe du fonctionnement – Les représentations

FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION A TRANSISTOR BIPOLAIRE I PRÉSENTATION Le transistor se comporte comme un Le transistor est un semi-conducteur contrôlable qui permet deux types de fonctionnement : - Fonctionnement en régime linéaire (amplificateur de courant). - Fonctionnement en régime de commutation (bloqué / saturé). 2.1- Transistor bloqué : interrupteur (entre C et E) commandé par la base. interrupteur ouvert Il existe deux types de transistors bipolaires : les NPN et les PNP. Le transistor

6. Diode Zener 26 1.6.1. Définitions 26 1.6.2. Stabilisation de tension par une diode Zéner 31 2. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINUE 36 2.1. NOTIONS FONDAMENTALES 36 2.1.1. STRUCTURE DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE 36 2.1.2. EFFET TRANSISTOR 36 2.1.3. QUELQUES CONSTANTES FONDAMENTALES DES TRANSISTORS 38 2.2. CARACTERISTIQUES D’UN TRANSITOR BIPOLAIRE 40 2.2.1. CARACTERISTIQUES DE COLLECTEUR 41 2.2.2. CARACTERISTIQUES DE BASE 43 2.2.3. CARACTERISTIQUES DU

2007 Table des matières 1 Modèle mathématique du transistor bipolaire 1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Modèle mathématique de la diode . . . . . . . . . . 1.2.1 Diode en régime statique . . . . . . . . . . . 1.2.2 Diode en régime dynamique . . . . . . . . . 1.2.3 Modèle complet . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.4 Influence de la température . . . . . . . . . 1.3 Modèle du transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Généralités . . . . . . . . .

............................................................ 32 BIBIOGRAPHIE ................................................................................................................................. 33 Groupe 1 : étude du transistor bipolaire haute et basse fréquence Page 1 Groupe 1 INTRODUCTION Inventé en 1948 par les chercheurs américains J. Barden, W. Brattain et w Shockley. Le transistor est l’un des composants non linéaires les plus utilisé en électronique et peut être

.................................................................... 17 II. Rapport de simulation ............................................................................................................ 24 1. ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 24 1.1. Etude statique ..................................................................................................................... 25 1.2