Jonction P-N

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. Symbole II- Caractéristique courant-tension d’une diode En direct VBR V0 En inverse Pour VD < 0 la diode est dite en polarisation inverse. Le courant

semblable aux transistors NMOS. C'est-à-dire avec une région fortement dopée positivement (P+) placée à l'intérieur d'une zone faiblement dopée négativement (NWELL), ce type de varicap présente une capacité semblable à celle des transistors NMOS; ceux-ci comportent une zone fortement dopée négativement (N+) située à l'intérieur d'une zone faiblement dopée positivement (PWELL) de manière à former une jonction P-N. Utilisations Les diodes varicap sont utilisées dans les circuits d'accord des récepteurs

tension 3-3- Tension Zener 3-4- Caractéristique idéalisée 2 4- Le transistor bipolaire 4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage émetteur - commun 4-2-2- Tensions et courants 4-2-3- Jonction Base - Emetteur 4-2-4- Transistor bloqué 4-2-5- Transistor passant a- Fonctionnement en régime linéaire b- Fonctionnement en régime de saturation 4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation

type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . .

de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . .

Physique. Cellules Photovoltaïques. Ec Ef Ev 0 0,5 1 f Figure I-2 Aux n électrons excités dans BC correspond un nombre égal p de trous (ou défauts d'électrons) dans BV. Si l'on applique une tension V aux bornes de l'échantillon, on observe un courant qui correspond à une conductivité σ donnée par : σ = q(µnn + µ p p ) (4) où q est la charge de l'électron et µ n et µ p sont respectivement les mobilités respectives des électrons dans BC et des trous dans BV. Remarque: Les unités généralement utilisées

extrinsèques de type N............................................................. 12 II.8.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type P.............................................................. 13 III. La jonction PN ....................................................................................................................... 13 III.1 Polarisation de la jonction PN ....................................................................................... 14 III.2 Caractéristique de la diode

type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . .

............................ 4 1) Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4 2) Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4 a) Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4 b) polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................

LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond