la crise des euromissiles
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Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes
1. Description de la jonction P-N
1.1
Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de
polarisation, équilibre thermodynamique)
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Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond à une zone de charge d'espace (ZCE) .
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Il existe un champ électrique Ed dans la ZCE qui s'oppose au passage des porteurs majoritaires mais favorise la diffusion des minoritaires. A l'équilibre Ie courant des porteurs minoritaires est compensé par le courant des majoritaires.
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Il apparaît donc une d.d.p. Vd dite tension de diffusion entre Ies deux frontières de la ZCE.
(voir figure ci-dessous)
1.2. Technologie de fabrication (Technologie planaire ou planar)
Le passage du type P au type N peut être :
• abrupt (passage brutal)
• progressif mais restant limité à une très faible épaisseur.
LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04
1.3. Polarisation de la diode, description phénoménologique
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Polarisation directe (d.d.p. Va)
Région N est à un potentiel -Va par rapport à la région P d'ou le diagramme de bande ci-dessous
La barrière de potentiel pour les porteurs majoritaires est plus faible
(égale à e (Vd-Va)), il en résulte un fort courant de trous majoritaires
(dû à la diffusion).
Ie courant de trous minoritaires reste inchangé.
On a diminution de la largeur de la ZCE.
Polarisation inverse région N est à un potentiel +Va par rapport à la région P d'où le diagramme ci-dessous
La barrière de potentiel est plus haute, elle empêche le passage de tous les trous majoritaires le courant de trous minoritaires reste inchangé
On a augmentation de la largeur de la ZCE
Caractéristique courant-tension
Forme