la crise des euromissiles

1141 mots 5 pages
LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04

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Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes
1. Description de la jonction P-N
1.1

Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de

polarisation, équilibre thermodynamique)


Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond à une zone de charge d'espace (ZCE) .



Il existe un champ électrique Ed dans la ZCE qui s'oppose au passage des porteurs majoritaires mais favorise la diffusion des minoritaires. A l'équilibre Ie courant des porteurs minoritaires est compensé par le courant des majoritaires.



Il apparaît donc une d.d.p. Vd dite tension de diffusion entre Ies deux frontières de la ZCE.
(voir figure ci-dessous)

1.2. Technologie de fabrication (Technologie planaire ou planar)

Le passage du type P au type N peut être :
• abrupt (passage brutal)
• progressif mais restant limité à une très faible épaisseur.

LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04

1.3. Polarisation de la diode, description phénoménologique










Polarisation directe (d.d.p. Va)
Région N est à un potentiel -Va par rapport à la région P d'ou le diagramme de bande ci-dessous
La barrière de potentiel pour les porteurs majoritaires est plus faible
(égale à e (Vd-Va)), il en résulte un fort courant de trous majoritaires
(dû à la diffusion).
Ie courant de trous minoritaires reste inchangé.
On a diminution de la largeur de la ZCE.

Polarisation inverse région N est à un potentiel +Va par rapport à la région P d'où le diagramme ci-dessous
La barrière de potentiel est plus haute, elle empêche le passage de tous les trous majoritaires le courant de trous minoritaires reste inchangé
On a augmentation de la largeur de la ZCE

Caractéristique courant-tension
Forme

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