ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

DIODES A JONCTION

CHAP I - DDIODES A JONCTIONN
IDéfinition – symbole
Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode.
Symbole

II-

Caractéristique courant-tension d’une diode
En direct

VBR
V0
En inverse

Pour VD < 0 la diode est dite en polarisation inverse.
Le courant inverse est quasi nul. On le nomme « courant de saturation inverse ». Il est noté Is. Sa valeur est très sensible à la température (Is 1 pA à 1µA).
En polarisation inverse, la diode se comporte comme un isolant. Elle est dite “bloquée”
Remarque :
En polarisation inverse il existe une tension maximale inverse VBR qu’il ne faut pas dépasser. Lorsque cette valeur est atteinte il y a une forte augmentation du champ électrique au sein du composant qui engendre la destruction de la diode par claquage. On observe dans ce cas un important courant en inverse.
Pour VD > 0 la diode est dite en polarisation directe.
En directe deux situations se présentent :
 Si 0 ≤ VD < V0 , le courant dans la diode est également très faible. La diode est bloquée.
 Si VD ≥ V0 , le courant dans la diode augmente rapidement . La diode est dite “passante”. On dit aussi que la diode conduit.
La tension V0 à partir de laquelle la diode devient passante est appelée tension seuil de la diode.
Ce seuil reste toutefois une tension très faible. Pour les diodes au silicium 0,6V V0 0,7V et pour les diodes au germanium 0,2V V0 0,3V.
L’existence de la zone « de coude » pour la tension VD [0 ; Vo] indique une augmentation exponentielle du courant ID selon la relation :
Avec : Is : courant inverse (quelques pA)
1
2 : facteur d’idéalité. 1 pour le silicium; 2 pour le germanium
ID Is e
1
VT = k.T/q : tension de température (VT 26mV à 27°C) k = 1,38.10-23 J/K : constante de Boltzmann q = 1,6.10-19 C : charge