Jonction P-N

mc-Si silicium multicristallin pc-Si silicium polycristallin 50 sc-Si silicium monocristallin 40 CIS chalcogénures 30 Cz tirage Czochralski 70 1 €/W) 60 THR Limite simple jonction 20 croissance électromagnétique FZ tirage par zone flottante pin structure à zone intrinsèque p-n structure à jonction plane RCC structure à contacts arrières HIT hétérostructure PV photovoltaïque MWc mégawatt crête, puissance mesurée à midi µc-Si silicium microcristallin Ce document a été

Hugues -CHEGBE Elsie Année Scolaire 2011-2012 PLAN I- Le transistor à jonction Représentation conventionnelle et description Fonctionnement Un exemple de montage II- Amplificateur Opérationnel (A.O) Représentation et description Polarisation d’un A.O Fonctionnement d’un A.O Exemple de montage I- Le transistor à jonction 1-Représentation conventionnelle et Description Le transistor à jonction est un composant électrique qui possède 3 bornes ou pattes. Le transistor vient

base du fonctionnement des lasers). Pour mettre en évidence l’électroluminescence les jonctions PN sont idéales. En effet dans une jonction PN polarisée en directe les électrons et les trous voient de part et d’autre de la jonction une barrière de potentiel réduite par rapport à celle de l’équilibre thermodynamique. Par diffusion, électrons et trous vont pouvoir passer respectivement du coté P et N de la jonction. Ensuite ils arrivent dans une zone où ils deviennent minoritaires de ce fait il y a

3.1.1 Prépolarisation des transistors R iC T1 Rv 1 vs Ru 2 Vcc is Vcc ve R T2 iC On peut utiliser par exemple un système à diodes qui maintient entre les deux bases une tension égale à la somme des tensions de seuil des jonctions base-émetteur des transistors. Par raison de symétrie, le potentiel du point commun aux diodes est le même que celui des deux émetteurs, c'est à dire 0 V. En augmentant la valeur de Rv, on augmente l'intensité du courant dans les diodes ce qui a

s'arrange pour créer un champ électrique permanent au moyen d'une jonction PN, entre deux couche dopées positivement P et négativement N. L les électrons libres de la région N rentrent dans la couche P et vont se recombiner avec les trous de la région P. Il existera ainsi une charge positive de la région N au bord de la jonction (parce que les électrons en sont partis) et une charge négative dans la région P au bord de la jonction (parce que les trous en ont disparu) ; l'ensemble forme la Région

phase ou amplitude) d'un signal sinusoïdal haute fréquence qui est transmis tel quel en l'absence de signal informatif. Ce signal prend la dénomination de porteuse (carrier en anglais) et sa fréquence est appelée fréquence porteuse. Elle sera notée f p (la pulsation porteuse ωp=2•π•fp). Par ailleurs, dans tous les cas, nous considérerons que le signal à transmettre (u(t) signal informatif ou signal utile) est à spectre fini. A titre d'exemple, sont présentées ci-dessous quelques signaux courants, le

1. Le transistor a` effet de champ a` jonction Transistors a` effet de champ (1) ´ A. Kasbari - 9 decembre 2014 - Page 1 / 6 Transistors a` effet de champ (1) 1. Le transistor a` effet de champ a` jonction 1.1. Structure et principe de fonctionnement ´ 1.2. Les differents modes de fonctionnement 1.1 Structure et principe ´ 3 electrodes : source, drain, grille Une jonction PN entre la source et la grille Polarisation en inverse de cette jonction (VGS < 0) et VDS > 0 ´ VGS diminue ⇒ ZCE s’etend

permanent créé par la jonction PN qui est mise en place lorsque les deux couches dopés P et N se trouvent en contact. Cette jonction permet le passage des électrons d’une couche à l’autre. Le photon entraîne le déplacement des électrons libres de la région N dans la couche P et ces électrons vont ensuite se recombiner avec les trous de la région P. En conséquence, les charges à l’intérieur de la cellule sont modifiées : une charge positive de la région N au bord de la jonction (les électrons sont partis)

avec le « trou » qu’il laisse au niveau inférieur une paire « électrontrou ». Les électrons et les trous sont de charges de signes opposés (-q ; +q). Les cellules photovoltaïques sont des jonctions PN, comme le silicium dopé phosphore et le silicium dopé bore. Soumises à un champ électrique dans une jonction PN branchée sur un circuit extérieur, les paires électrons-trou vont se séparer et les électrons excités vont se mettre en mouvement dans une direction particulière : un courant électrique

12). La gamme Solinet avec Avis Technique CSTB permet de répondre aux différents cas de figures rencontrés (tableau récapitulatif page 5). Pour une utilisation conforme du système, la mise en œuvre des accessoires est indispensable (pièces de jonction, pièces d‘angle, protecteur alu en terrasse accessible public et fixations Danivit inox). Terrasses avec dalles sur plots Solinet Special pont et parking pages 17–19 Dans le cas de terrasses avec dalles sur plot, le Solinet Porte-dalle