Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

FONCTIONNEMENT…………………………………………………………………………………………… V/ CONCLUSION……………………………………………………………………………………………………… I/INTRODUCTION Les circuits intégrés à technologie MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) sont réalisés à partir de transistors MOS. Comparée à la technologie TTL cette technologie, consomme moins d’énergie, a une marge de sensibilité aux bruits plus large, fonctionne sous une gamme de tensions d’alimentations plus grande, a une sortance plus élevée et une densité d’intégration plus importante. Néanmoins la technologie TTL est plus

de l’épreuve de Physique appliquée Etude d’un tapis de jogging Partie A : Etude de l’onduleur 12-1 Par exemple : transistor de puissance MOSFET Umoy = 0 V L’onduleur réalise une conversion continu → alternatif = 4,24 A 2 On utilise un ampèremètre avec la fonction RMS (ou AC). u=E 0 ≤ t ≤ t1 : t1 ≤ t ≤ T/2 : I= I max 2-2-1 2-2-2 2-3-1 2-3-2 le courant va de B vers A (i < 0), D1 et D3 sont passantes. le courant va de A vers B (i > 0), H1 et H3 sont passants. Fabrice Sincère http://perso

courants issus d’un réseau de distribution pour satisfaire les besoins de la charge à alimenter. Les commutateurs non commandés sont réalisés par les diodes de puissance. Lorsque les applications nécessitent une intervention extérieure, les composants commandables entrent en jeu : parmi ceux-ci, le document se limite à l’étude des thyristors et des transistors de puissance bipolaires ou MOS. Un bref aperçu du transistor IGBT, plus moderne, est présenté pour terminer. L’étude de la diode de puissance

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

de puissance sur l’onduleur Exercice Ond01 : onduleur autonome On réalise le montage suivant en utilisant quatre interrupteurs électroniques, fonctionnant deux par deux : iG iK1 K1 R i K4 u K3 K2 E Le générateur de tension continue a une f.e.m. E égale à 24 V. La charge est une résistance de valeur R = 100 Ω. Le fonctionnement des interrupteurs est résumé sur le diagramme ci-dessous : K1, K 3 fermés 0 1 4 6 K2, K4 fermés T 9 10 t (ms) Les interrupteurs sont supposés parfaits

COURS LA COMMANDE DE PUISSANCE : TRANSISTOR EN COMMUTATION page 1 / 2 V FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION A TRANSISTOR BIPOLAIRE I PRÉSENTATION Le transistor se comporte comme un Le transistor est un semi-conducteur contrôlable qui permet deux types de fonctionnement : - Fonctionnement en régime linéaire (amplificateur de courant). - Fonctionnement en régime de commutation (bloqué / saturé). 2.1- Transistor bloqué : interrupteur (entre C et E) commandé par la base. interrupteur

Capacité MOS : MOS : Métal-Oxyde-Semi-conducteur Structure Une capacité MOS se compose d'une succession de trois couches : * Une couche « métallique ». Il s'agit typiquement d'aluminium. Dans certains dispositifs, ce « métal » est en fait du polysilicium fortement dopé, qui n'est pas chimiquement un métal mais en a la structure électronique (absence de gap, forte densité de porteurs), seule caractéristique importante ici. * Une couche « isolante », généralement composée d'oxyde ou de nitrure

par Mickaël BARRET Pour obtenir le grade de Docteur de l’Ecole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne tel-00470782, version 1 - 7 Apr 2010 Spécialité : Microélectronique Impression par jet de matière de transistors organiques sur support souple Soutenue à Gardanne le 12 Octobre 2007 Membres du jury Président : Rapporteurs : Gilles Horowitz Frédéric Fagès Louis Giraudet Romain Coppard Frédéric Gaillard Jean-Christophe Fidalgo Philippe Collot Sébastien Sanaur Professeur/Univ

Le transistor est le composant électronique actif fondamental en électronique utilisé principalement comme interrupteur commandé et pour l'amplification, mais aussi pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations. Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet

silicium existe en grande quantité à la surface du globe terrestre. C'est le deuxième élément le plus fréquent de la croûte terrestre ; O2 (46%), Si (28%), Al (8%). Sa température de fusion est de 1415°C, qui est donc assez élevée, et son affinité chimique est forte à haute température. Le silicium cristallise dans une structure zinc-blende tétraèdrique (ou cubique face centrée avec motif à deux atomes décalés d'un quart suivant la première diagonale) identique à celle du diamant mais avec une distance