Gallium

lumineux entrant dans la fibre donc : La réfraction en se traduit par : Dans le triangle on a : 2.2. Applications numériques Pour une fibre optique silice-silicone : donc : ainsi : Pour une fibre optique à base d’arséniure de gallium : Or On rappelle que : 11 et par définition de la fonction sinus est compris entre , donc la condition est toujours A. Guillerand – BCPST 1 A TD de physique P2 Lycée Hoche, Versailles, 2012/2013 vérifiée. La valeur limite pour est

suivant la relation : V = V0 (1+.)  Pour le mercure dans le verre, on prend pour a la valeur moyenne 1/6300.  Au-dessous de -39 °C, on utilise l’éthanol jusqu’à -80 °C, le toluène jusqu’à -90 °C, le pentane jusqu’à -200 °C. Au-dessus de 500 °C, le gallium permet d’atteindre 1000 °C. Les thermomètres  Les thermomètres à tension de vapeur saturante  La vapeur d’un corps en équilibre avec son liquide est dite saturante. Sa pression n’est fonction que de la température. Parmi les diverses expressions

La valeur réelle est de 30,9738 g. mol-1. Que peut-on en conclure ? Exercice I. 11. L’élément gallium Ga (Z =31) possède deux isotopes stables 69Ga et 71Ga. 1. Déterminer les valeurs approximatives de leurs abondances naturelles sachant que la masse molaire atomique du gallium est de 69,72 g.mol-1. 2. Pourquoi le résultat n'est-il qu'approximatif ? 3. Il existe trois isotopes radioactifs du gallium 66Ga, 72Ga, et 73Ga. Prévoir pour chacun son type de radioactivité et écrire la réaction correspondante

une autre. Plusieurs modèles ont étés développés. L O P Q R S IV V 5 B (Bore) 6 C (Carbone) 7 N (Azote) 13 Al (Aluminium) 14 Si (Silicium) 15 P (Phosphore) 16 S (Soufre) 30 Zn (Zinc) 31 Ga (Gallium) 32 Ge (Germanium) 33 As (Arsenic) 34 Se (Sélénium) X 48 Cd (Cadmium) 49 In (Indium) 50 Sn (Étain) 51 Sb (Antimoine) V III W U Y © Dunod – La photocopie non autorisée est un délit C VS −

(quantum). Les atomes sont classés dans un tableau universel connu sous le nom de tableau de classification périodique. Extrait du tableau de classification périodique des éléments III 5 B (Bore) 13 Al (Aluminium) 30 Zn (Zinc) 48 Cd (Cadmium) 31 Ga (Gallium) 49 In (Indium) IV 6 C (Carbone) 14 Si (Silicium) 32 Ge (Germanium) 50 Sn (Étain) V 7 N (Azote) 15 P (Phosphore) 33 As (Arsenic) 51 Sb (Antimoine) 16 S (Soufre) 34 Se (Sélénium) © Dunod – La photocopie non autorisée est un délit T U V W X Y

9 argon 36 38 39 40 41 42 43 fer 44 cobalt 45 nickel 46 cuivre 47 zinc 48 gallium germanium arsenic selenium brome krypton 49 50 51 52 53 54 Sn Sb Te I Xe Sr Y Zr Nb Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn In O Rb 118.7 121.8 127.6 130.9 131.3 85.5 87.6 88.9 91.2 92.9 52.0 54.9 55.9 58.5 58.7 63.5 65.4 114.8 55 56 57 72 73 74 75 fer 76 cobalt 77 nickel 78 cuivre 79 zinc 80 gallium germanium arsenic selenium brome krypton 81 82 83 84 85 86 Pb Bi Po At Rn Ba La Hf Ta

moins élevés (entre 5% et 13%). Quatre types de modules en couches minces (en fonction de la matière active utilisée) sont actuellement disponibles dans le commerce : • • • • Silicium amorphe (a-Si) Tellurure de Cadmium (CdTe) Cuivre Indium/Gallium Diselenide/disulphide (CIS, CIGS) Cellules multi-jonction (a-Si/m-Si) Couches minces intégrées sur une verrière, Allemagne 5 Mur antibruit photovoltaïque le long d’une autoroute Autres types de cellules Il existe d’autres types de

cristallin avec un rendement de 13% à 16% ; et enfin sous la forme de silicium amorphe (cellules à couche mince), avec un rendement inférieur à 10%. Cette technologie à couche mince permet en outre la mise en œuvre d’autres matériaux comme l’arséniure de gallium, par exemple. Plus de 90% des cellules solaires utilisées dans le monde sont composées de silicium monocristallin, qui a fait ses preuves depuis de nombreuses années. Bien que l’effondrement des prix du silicium solaire ait fortement réduit l’écart

importantes réserves de métaux rares au monde et dont l’utilisation principale est précisée ci-après entre parenthèses : 95 % des terres rares (nanotechnologie), 87 % de l’antimoine (semi-conducteur), 84 % du tungstène (semi-conducteur), 83 % du gallium (photovoltaïque), 79 % du germanium (fibre optique), 60 % de l’indium (photovoltaïque) et 51 % de la fluorine (métallurgie). L’usage croissant de ces métaux dans les nouvelles technologies et l’industrie, face à une production concentrée et limitée

Déduisez-en les expressions simplifiées de l'équation liant ID à VD lorsque la diode est polarisée en direct; lorsque la diode est polarisée en inverse. La caractéristique réelle de la diode (surtout pour les diodes au silicium et à l'arséniure de gallium) s'écarte de cette simple équation, parce qu'elle ne tient pas compte des résistances des régions neutres et du courant de fuite surfacique du cristal. La simulation analogique (par exemple, à l'aide du simulateur PSPICE) remédie à cet inconvénient