Germanium

liquidus (T=f(xil)) et du solidus (T=f(xis)) sont solution du système suivant : l x2 ! fus H 2 ° " 1 1 # ln s = % $ & x2 R ' T2* T ( l 1 $ x2 ! fus H1 ° " 1 1 # ln = % $ & s 1 $ x2 R ' T1* T ( D'autres alliages comme les mélanges étain-bismuth ou germanium-silicium présentent le même type de fuseau, correspondant à un système proche de l’idéalité. 2. Diagramme binaire isobare à extremum Lorsque le mélange s'éloigne de l'idéalité, le diagramme binaire peut alors présenter un extremum, généralement un

1828 thorium/ 1830 vanadium/ 1839 lanthane/ 1843 erbium, terbium/ 1844 ruthénium/ 1860 césium, rubidium/ 1861 thallium/ 1863 indium/ 1875 gallium/ 1878-1885 holmium, thulium, scandium, samarium, gadolinium, praséodyme, néodyme, dysprosium/ 1886 Germanium/ 1898 polonium, radium/ 1899 actinium Métaux découverts au XXe siècle Europium 1901/ 1907 lutétium/ 1917 protactinium/ 1923 hafnium/ 1925 rhénium/ 1937 technétium/ 1939 francium/ 1945 prométhium/ éléments 1940-61 transuranien/ neptunium/ plutonium/

autres comme indiqué ci-dessous. He, Be, Mg et Ti cristallisent dans cette structure. En indiquer les vecteurs de base, la maille élémentaire et le motif. c/a= 8/3 a c/2 5) Structure du diamant - du sulfure de zinc Les semiconducteurs comme le germanium et le silicium cristallisent dans la structure cubique diamant. Les semiconducteurs III-V tels GaAs ou InP cristallisent dans la même structure que ZnS. On peut considérer ces arrangements comme résultant de l’interpénétration de deux sous réseaux

responsables d’un fort ruissellement des eaux et facilement érodables . Le faisceau R2, dans la série du Roan, dite "série des mines", est riche en gisements cupro-cobaltifères (Moulaert, 1992) ainsi qu’en fer, radium, uranium, or, manganèse, étain, germanium, bauxite, zinc 4 C ONTAMINATION DES SOLS DUE À L’ INDUSTRIE MÉTALLURGIQUE À L UBUMBASHI et diamants (BIT, 2007). L’affleurement de cette série définit la région de l’arc cuprifère katangais, qui s’étend de Kolwezi à Lubumbashi et se prolonge

redressée et filtrée sur la seconde voie Y2 de l'oscilloscope. • Vérifier que cette tension est voisine de la valeur de crête R1[pic] • Relever l'oscillogramme • Mesurer l'ordre de grandeur de la chute de tension due à la diode (diode au germanium).   [pic] Oscillogramme Fréquence Une tension continue UW appliquée à l'entrée wobulation du GBF permet de faire varier la fréquence f du signal de sortie suivant une loi de la forme f = a UW+ b (Cf. notice du GBF). • Ajuster la fréquence

temps global est pris en compte. En général le temps de diffusion est plus lent que le temps de transit. • Photosensibilité : elle est définie par • [pic] • et détermine les conditions d’utilisation (200nA/Lux pour les photodiodes à germanium (Ge), 10nA/Lux pour les photodiodes à silicium (Si)). Les photodiodes Ge présentent une photosensibilité plus importante mais leur courant d'obscurité est notable I0 = 10 uA. Il est donc préférable d’utiliser des photodiodes Si (I0 = 10 pA) pour

mor1; C : 65,05%, H : 6,07%, O : 28,88%. Determiner sa formule brute. 3.7 - La couche de valence du phosphore est 3s 3p . Quel est le compose hydrogene le plus simple du phosphore ? 3.72 - La couche de valence du germanium est 3s 3p . Quel est le compose hydrogene le plus simple du germanium ? O n 2 2 -i MnCl2 + C12 + 2H 2 O On fait reagir 3 moles de dioxyde de manganese sur 5 moles de chlorure d'hydrogene. Un des reactants disparait. Donner la composition en moles du milieu reactionnel

au monde et dont l’utilisation principale est précisée ci-après entre parenthèses : 95 % des terres rares (nanotechnologies), 87 % de l’antimoine (semi-conducteurs), 84 % du tungstène (semi-conducteurs), 83 % du gallium (photovoltaïque), 79 % du germanium (fibre optique), 60 % de l’indium (photovoltaïque) et 51 % de la fluorine (métallurgie). L’usage croissant de ces métaux dans les nouvelles technologies et l’industrie, face à une production concentrée et limitée, laisse craindre des risques de pénuries

l’élément xénon. d. Les éléments aux propriétés chimiques analogues à celles de l’élément iode ont 7 électrons de valence. Ceux qui ont des propriétés chimiques analogues à celles de l’élément xénon ont 8 électrons de valence. 28 Germanium a. L’élément germanium a été découvert en Allemagne dont l’ancien nom est Germanie. b. 4e période et 14e colonne. c. 4 électrons de valence. d. 32 protons ; 42 neutrons ; 32 électrons. e. mGermanium = 1,24 × 10–25 kg f. GeCl4 29 Carbon and Nobel Prize

= 1,6 · 10−19 C 6.3. On suppose que dans un cristal de germanium, un atome sur 109 atomes donne un électron libre. 1) Calculer le nombre n e d’électrons libres par unité de volume sachant que : la masse molaire atomique de Ge : M = 72,6 g · mol−1 d = 5,36 g · cm−3 la densité de Ge : N = 6,02 · 1023 mol−1 la nombre d’Avogadro : 2) La mobilité μ des électrons libres étant égale à 0,38 m2 · V−1 · s−1 , calculer la conductivité σ du germanium. 3) En fait, le nombre d’atomes donnant un électron libre